瑞薩科技近日在蘇州電博會舉行的技術(shù)交流會上透露，該公司正在開發(fā)的下一代Chip Stack技術(shù)將使其SiP(系統(tǒng)級封裝)產(chǎn)品加速向薄型發(fā)展?！澳壳叭鹚_科技2個裸片堆疊的SiP厚度為1.2mm。”瑞薩科技SiP設(shè)計事業(yè)部經(jīng)理海野雅史表示，“我們的目標(biāo)是在現(xiàn)有技術(shù)的基礎(chǔ)上使該值降低到1.0mm，然后利用下一代的Chip Stack處理技術(shù)，進一步將其縮減到0.5mm?！?

    瑞薩科技將通過硅連接電極技術(shù)達到上述目的。海野雅史以CPU和存儲器2層裸片堆疊的SiP為例介紹說，硅連接電極技術(shù)的原理是通過最短配線改善電器特性。具體做法是在裸片層間放置硅轉(zhuǎn)接板(Si Interposer)，從而代替目前的連接方式?！跋乱淮鶦hip Stack SiP技術(shù)將幫助芯片封裝厚度降低到目前的一半以下，從而實現(xiàn)超薄型化?！彼f。

    通過這項舉措，瑞薩科技將進一步達到其目標(biāo)，即進一步降低芯片的EMI以及能耗，從而保持在數(shù)碼家電領(lǐng)域的市場領(lǐng)先地位。海野雅史表示，最先采用下一代Chip Stack技術(shù)的產(chǎn)品將是手機、數(shù)碼相機以及數(shù)字錄像機專用芯片。

    SiP技術(shù)正在英特爾、飛利浦、三星等公司的推動下飛速發(fā)展。英特爾不久前還在上海成立了中國封裝技術(shù)研發(fā)中心，主攻SiP，并聲稱將在年內(nèi)推出1.2mm厚的5層裸片堆疊的SiP。該公司還表示其正在開發(fā)8層裸片堆疊的SiP技術(shù)，厚度仍然為1.2mm。而瑞薩目前也表示將在2006年實現(xiàn)1.5mm厚度的5層裸片堆疊SiP，并在2007年全面采用下一代Chip Stack處理技術(shù)時使其下降到1mm以下。

    事實上，SiP技術(shù)已經(jīng)在數(shù)碼相機、數(shù)碼錄像機以及手機中已得到了廣泛的應(yīng)用。這是由于除了尺寸較小，元件數(shù)量降低之外，還能夠減少開發(fā)周期，節(jié)省成本。該技術(shù)的另外一個重要特性就是EMI噪音可以得到很好地控制。

    海野雅史表示，SiP方案能夠優(yōu)化系統(tǒng)特性，非常適用于數(shù)字電視系統(tǒng)。他說：“SiP能夠幫助數(shù)字電視降低電路板輻射勢能，減少35%的基板面積。”他指出，采用SiP芯片之后，SDRAM附近的開關(guān)噪音峰值也大大降低，瑞薩的試驗顯示該值降幅達71％。

    瑞薩公司還推出了針對高速I/F的解決方案，通過其在SiP方面的獨特技術(shù)，該公司將DDR同CPU封裝在一起，使原來由分立器件構(gòu)成的12層PCB板SDRAM系統(tǒng)簡化成10層PCB板的DDR系統(tǒng)?？蛻魺o需設(shè)計高速總線，基板尺寸也得到縮小，同時存儲器的采購壓力也相應(yīng)得到減輕。

    談到在SiP方面的優(yōu)勢。海野雅史樂觀指出：“瑞薩擁有功能豐富的全系列CPU核。我們擁有高密度組裝、試驗、IP以及從設(shè)計到量產(chǎn)的一條龍支持等眾多SiP方面的獨特技術(shù)?！?此外他表示，瑞薩自有的SDRAM存儲器以及與眾多DDR、Flash、SRAM以及FRAM存儲器供應(yīng)商的密切合作，都是該公司SiP在技術(shù)和市場方面保持領(lǐng)先地位的重要因素。

    不久前剛剛宣布SiP產(chǎn)品累積出貨量達到1億片的瑞薩對其該項業(yè)務(wù)的未來充滿信心。海野雅史介紹，該公司目前已經(jīng)在位于北海道Hakodate的一個工廠中開始生產(chǎn)5層裸片堆疊的產(chǎn)品，同時瑞薩科技也正在全力推進90nm~65nm的新型SiP產(chǎn)品?！靶庐a(chǎn)品將擁有高頻接口、高密度的存儲器以及更低的噪音?！彼f。