著眼于未來先進長程演進計劃(LTE-Advanced)世代，射頻前端(RF Front-end)的角色將愈來愈重要，高通(Qualcomm)繼推出RF360射頻前端產(chǎn)品系列方案后，近期再度出手購并互補式金屬氧化物半導體(CMOS)功率放大器(PA)供應(yīng)商Black Sand，藉以強化RF360方案競爭力。
高通產(chǎn)品管理資深副總裁Alex Katouzian表示，該公司不斷精進RF360系列方案性能，將使消費者和原始設(shè)備制造商(OEM)共同受益于這些創(chuàng)新，并得以實現(xiàn)小尺寸、低功耗同時可全球漫游的LTE裝置。
隨著通訊產(chǎn)業(yè)朝向LTE-A發(fā)展，手機除須支援多個頻段外，采用功率放大器的數(shù)量亦隨之增加，致使既有采用砷化鎵(GaAs)制程的功率放大器產(chǎn)能供不應(yīng)求。而采用CMOS制程的功率放大器，因原料成本相對較低，同時其效能亦可滿足LTE應(yīng)用要求，再加上由Black Sand所開發(fā)出的產(chǎn)品在功能與腳位上均可相容于GaAs方案，因此行動裝置制造商可輕易進行技術(shù)轉(zhuǎn)移，遂使該方案迅速于RF市場中竄紅。
藉由整合Black Sand的技術(shù)與人才，高通預期將能對RF360系列產(chǎn)品進行強化，以增加其COMS功率放大器優(yōu)勢與支援頻段范圍，并加大與其他廠商的競爭差距。
據(jù)了解，此波購并動作雙方皆尚未進行公開說明，但在Black Sand官網(wǎng)上已發(fā)布訊息證實該公司于6月18日并入高通。Black Sand為一家無晶圓廠半導體公司，提供以矽(Silicon)材料為基礎(chǔ)的無線解決方案;其主要產(chǎn)品為兼具高功率及低功耗的3G CMOS功率放大器，并能支援多種頻段。