SK海力士正在加速DRAM技術(shù)開發(fā)的速度，韓國證券也預測，SK海力士明年存儲器半導體市場投資會比競爭品牌三星、美光還要多。

SK海力士不僅在存儲器半導體活躍，根據(jù)IC Insights的市調(diào)結(jié)果，在整個半導體市場中，今年的銷售額達到全球第三名，這是SK海力士首次擠進前三中，把原本位居第三的臺積電擠至第四名，因此市場也愈測，與競爭公司相比，明年SK海力士的市占率還有可能再繼續(xù)擴大。

根據(jù)韓媒《DDaily》報導，NH投資證券研究員都賢宇預測，明年SK海力士將比三星電子、美光集團更積極進行投資。預計三星明年DRAM、NAND出貨量增加率(與前一年相比)分別是19%、35%;而SK海力士則分別增加23%、40%;美光公司則是分別增加21%和25%。SK海力士將透過清州M15 NAND工廠和明年初在中國無錫市竣工的DRAM工廠擴大供貨量。

SK海力士也于12日表示，預計明年第一季開始供給第二代10納米細微工程適用的8Gb DDR4 DRAM，打算追上競爭企業(yè)們的腳步。事實上，三星電子去年11月就已經(jīng)批量生產(chǎn)第二代10納米級的8Gb DDR4服務(wù)器用的DRAM，更在今年7月領(lǐng)先業(yè)界，批量生產(chǎn)第二代10納米工程適用的16Gb LPDDR4X行動存儲器;美光公司最近也開始批量生產(chǎn)10納米工程適用的12Gb LPDDR4X行動存儲器。

雖然在DRAM領(lǐng)域中，SK海力士必須追趕著其他競爭品牌，但在NAND快閃存儲器領(lǐng)域則大不相同。4日時，SK海力士才表示今年內(nèi)將引進PUC(Peri under Cell)技術(shù)來量產(chǎn)96層的3D NAND，SK海力士更將其命名「4D NAND」，這也意味著SK海力士想透過展示自家的尖端技術(shù)，顯示和同業(yè)的技術(shù)差距。

事實上，SK海力士是全球首家在CTF(Charge Trap Flash)架構(gòu)上與PUC結(jié)合，并成功開發(fā)96層的512Gb TLC(Triple Level Cell)NAND。PUC技術(shù)是指在掌管存儲數(shù)據(jù)的儲存單元(Cell)中，配置下方掌管儲存單元的周邊部(Peri)回路的技術(shù)，類似把建筑物旁邊有的停車場(在此指Peri)移動至建筑物地下室的概念。業(yè)界也評價SK海力士能以現(xiàn)在NAND的技術(shù)基礎(chǔ)，在CTF上增加了PUC技術(shù)，實現(xiàn)了技術(shù)進步。目前三星電子還沒有引進這樣的技術(shù)，加上SK海力士自創(chuàng)了「4D NAND」的名稱，由此可見對自身實力的自信。

然而SK海力士在NAND技術(shù)方面領(lǐng)先，但能否克服DRAM的偏重現(xiàn)象也備受關(guān)注，目前SK海力士在DRAM市場的占有率位居全球第2，NAND的市占率反而僅排在第4名，NAND市場預測中國存儲器半導體的攻勢未來會更猛烈，業(yè)界也認為，若NAND技術(shù)比DRAM低，中國就可以更快追上韓國。