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[導讀]東芝周四表示,該公司已經與閃存技術開發(fā)商SanDisk共同研發(fā)出全球最小的128Gbit(16GB)NAND閃存芯片。該閃存芯片采用19nm新工藝,大小為170平方毫米,比一枚普通硬幣還小。該閃存芯片運用3-bit-per-cell存儲技術。該

東芝周四表示,該公司已經與閃存技術開發(fā)商SanDisk共同研發(fā)出全球最小的128Gbit(16GB)NAND閃存芯片。

該閃存芯片采用19nm新工藝,大小為170平方毫米,比一枚普通硬幣還小。

該閃存芯片運用3-bit-per-cell存儲技術。該存儲技術雖然比2-bits-per-cell存儲技術更為高效,但存在穩(wěn)定性不強的問題。這也意味著該閃存芯片將首先用于記憶棒和記憶卡。

據悉,作為蘋果等公司主要供應商的東芝將于本月開始生產這種閃存芯片。

隨著芯片生產商爭相追逐更小的芯片產品,他們在生產設備上的投入將大大增加。

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