[導讀] DDR4內存終于量產，三星半導體（Samsung Semiconductor）宣布量產4Gb（512MB）模塊、基于20nm制程技術。
據三星介紹，32GB版將面向高端服務器市場，最高速度可以達到2,667 Mb/s；比DDR3性能更強，且功耗
DDR4內存終于量產，三星半導體（Samsung Semiconductor）宣布量產4Gb（512MB）模塊、基于20nm制程技術。
據三星介紹，32GB版將面向高端服務器市場，最高速度可以達到2,667 Mb/s；比DDR3性能更強，且功耗可降低30%。
三星還稱，該產品是全球最小、性能最強的4Gb芯片。希望不要止步與此，因為三星在2011年就展示過技術，并聲稱目標可以達到4Gbps。
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