繼Ivy Bridge-E遭曝光后，近日VR-Zone又拿到了一份Intel下下代Haswell-E平臺(tái)PDF資料，相對(duì)于Ivy Bridge-E，Haswell-E將采用全新的架構(gòu)，將于2014年Q3發(fā)布。性能方面，Haswell-E在多任務(wù)處理器方面相對(duì)以前的四核產(chǎn)品性能提升多達(dá)55%，它也是Intel首款8核桌面版處理器，并且搭載全新的DDR4內(nèi)存控制器，并繼續(xù)保持四通道高帶寬。

全新一代平臺(tái)代號(hào)為Halo，而對(duì)應(yīng)的芯片組代號(hào)為Wellsburg。

Haswell-E作為旗艦產(chǎn)品，自然是繼承Ivy Bridge-E，產(chǎn)品將采用全新架構(gòu)，不出意外和現(xiàn)有Haswell架構(gòu)一致，不過(guò)桌面版核心數(shù)終于達(dá)到了8個(gè)，不過(guò)比較遺憾的，X79基于的LGA2011接口將不會(huì)兼容新處理器，雖然新一代處理器接口為L(zhǎng)GA2011-3，為2011個(gè)針腳，不過(guò)由于卡口的不同，兩者是不能兼容的。

具體規(guī)格方面，Haswell-E采用了第二代22nm晶體管架構(gòu)，提供6-8個(gè)處理器核心，配備20MB三級(jí)緩存，支持Turbo Boost 2.0技術(shù)，當(dāng)然超線程也會(huì)得到保留。

作為Ivy Bridge-E的延續(xù)，Haswell-E也會(huì)全面使用不鎖倍頻設(shè)計(jì)，開(kāi)放玩家超頻，而作為第一款支持DDR4的處理器，產(chǎn)品支持四通道DDR4 2133。由于面向極限發(fā)燒市場(chǎng)，產(chǎn)品可以提供2x16+1x8的三顯卡系統(tǒng)。

功耗方面，Haswell-E略微有所提升，包括130W和140W兩個(gè)版本。并提供風(fēng)冷和水冷散熱兩種解決方案。

芯片組規(guī)格方面，這次Intel終于不再吝嗇了，提供6個(gè)USB 3.0接口和10個(gè)SATA 6Gbps接口，當(dāng)然會(huì)繼續(xù)支持RAID 0/1/5/10。另外還提供了8個(gè)USB 2.0接口，芯片組TDP為6.5W。

再來(lái)具體看看不兼容的接口，從資料可以看到Haswell-E的LGA2011-3插槽，長(zhǎng)49.2mm，寬38.14mm，而SNB-E/IVB-E的LGA2011插槽長(zhǎng)43mm，寬38.5mm，所以二者完全不會(huì)兼容。