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[導(dǎo)讀]北京時間12月10日消息,據(jù)國外媒體報道,英特爾周三稱,已經(jīng)完成了32納米制造工藝的開發(fā)。英特爾目前利用45納米制造工藝生產(chǎn)處理器。通常情況下,工藝越先進(jìn)的處理器速度越快,能效越高。英特爾稱,將按計劃在2009年

北京時間12月10日消息,據(jù)國外媒體報道,英特爾周三稱,已經(jīng)完成了32納米制造工藝的開發(fā)。

英特爾目前利用45納米制造工藝生產(chǎn)處理器。通常情況下,工藝越先進(jìn)的處理器速度越快,能效越高。

英特爾稱,將按計劃在2009年第四季度生產(chǎn)32納米處理器。英特爾將于下周在舊金山舉行的國際電子元件會議(以下簡稱IEDM)上公布32納米制造工藝的技術(shù)細(xì)節(jié)。

完成32納米制造工藝開發(fā)標(biāo)志著英特爾仍然在沿著其“tick-tock”戰(zhàn)略發(fā)展。根據(jù)“tick-tock”戰(zhàn)略,英特爾每12個月交替推出新的處理器微架構(gòu)或更先進(jìn)的制造工藝。英特爾稱,“明年生產(chǎn)32納米工藝處理器標(biāo)志著我們將連續(xù)4年實現(xiàn)“tick-tock”戰(zhàn)略目標(biāo)。”

英特爾稱,32納米制造工藝的論文和報告將“闡述新的邏輯技術(shù),融合了第二代高K金屬柵極技術(shù)、面向關(guān)鍵圖案形成層的193納米浸沒式光刻技術(shù)以及增強(qiáng)型溝道應(yīng)變技術(shù)。”

英特爾的其它IEDM論文將“闡述一款低功率SoC版英特爾45納米制造工藝、基于復(fù)合半導(dǎo)體的晶體管、提升45納米晶體管性能的襯底工程、面向45納米及更先進(jìn)工藝的集成化學(xué)機(jī)械拋光和集成硅光電子調(diào)制器陣列。”英特爾還將參與一個有關(guān)22納米CMOS技術(shù)的短訓(xùn)班。

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