不讓韓國三星專美于前，日本半導(dǎo)體大廠東芝及美商晟碟(SanDisk)6日宣布，將共同斥資4,000億日圓(約新臺幣1,221.2億元)，于日本三重縣四日市興建儲存型快閃存儲器(NAND Flash)新廠，導(dǎo)入最新16至17納米制程，使總產(chǎn)能提升20%，明年4月量產(chǎn)，為在臺后段封測廠力成(6239)營運挹注成長動能。

這是三星在上月宣布調(diào)高今年半導(dǎo)體資本支出后，東芝近兩年來首度做出增產(chǎn)決定，因為蘋果中低價手機和大陸手機的強勁需求。

研究機構(gòu)統(tǒng)計，去年全球NAND Flash出貨量，三星居全球之冠，市占率37%;東芝排名第二，市占率31%。據(jù)了解，受惠日圓貶值，以及蘋果和大陸品牌下單量攀升，加上先前調(diào)節(jié)性減產(chǎn)，讓東芝NAND Flash已無法滿足市場需求，決定7月起開始增產(chǎn)。

稍早東芝表示，為確保NAND Flash次世代制程產(chǎn)品及3D存儲器的生產(chǎn)空間，將于旗下位于三重縣四日市第三座12寸NAND Flash廠「Fab 5」的第二期工程興建新廠，8月底動工興建，2014年夏天完工，但新廠工程的設(shè)備導(dǎo)入時間、量產(chǎn)時間、產(chǎn)能及生產(chǎn)計劃等細節(jié)，將視市場動向決定。

東芝的Fab 5第一期工程廠房由東芝投資興建，包括東芝和美商新帝(SanDisk)合資的NAND Flash生產(chǎn)線。隨著三星決定加碼擴產(chǎn)，將今年資本支出上修至24兆韓元，其中13兆韓元用于強化DRAM、NAND Flash及邏輯IC競爭力，讓東芝和晟碟決定加快建廠腳步。