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[導(dǎo)讀]摩爾定律(Moore’sLaw)極限浮現(xiàn)與18吋晶圓世代來臨,將是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)兩項(xiàng)大革命,全球半導(dǎo)體廠都在思索未來趨勢,臺積電技術(shù)長孫元成20日指出,摩爾定律未必走不下去,只要與3DIC技術(shù)相輔相成,朝省電、體積小等

摩爾定律(Moore’sLaw)極限浮現(xiàn)與18吋晶圓世代來臨,將是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)兩項(xiàng)大革命,全球半導(dǎo)體廠都在思索未來趨勢,臺積電技術(shù)長孫元成20日指出,摩爾定律未必走不下去,只要與3DIC技術(shù)相輔相成,朝省電、體積小等特性鉆研,將會柳暗花明又一村,未來10年內(nèi)持續(xù)微縮至7奈米、甚至是5奈米都不成問題。

晶圓尺寸持續(xù)從4吋、5吋、6吋、8吋一直擴(kuò)展至12吋晶圓世代,原本2011年開始準(zhǔn)備迎接18吋晶圓世代來臨,但直至現(xiàn)在18吋晶圓技術(shù)和機(jī)臺設(shè)備仍在研發(fā)階段。孫元成表示,2009年全球金融海嘯來襲,導(dǎo)致全球轉(zhuǎn)進(jìn)18吋晶圓世代時間點(diǎn)又晚2年,然除晶圓尺寸外,外界認(rèn)為摩爾定律已達(dá)極限說法,其實(shí)未必適用。

孫元成表示,只要加入一些創(chuàng)新元素,如3DIC技術(shù)配合,摩爾定律可一直走下去,在未來10年內(nèi)半導(dǎo)體技術(shù)持續(xù)微縮至7奈米、5奈米都是可行的,因?yàn)槟柖衫砟罨?DIC技術(shù)有互補(bǔ)功效,都是把系統(tǒng)產(chǎn)品作小、成本作低,且降低耗電量,非常符合現(xiàn)在整個半導(dǎo)體矽晶圓產(chǎn)業(yè)聚焦行動通訊應(yīng)用趨勢。

臺積電已與英特爾(Intel)、三星電子(SamsungElectronics)、IBM和GlobalFoundries等半導(dǎo)體大廠共同成立Global450Consortium計(jì)劃!,在美國紐約州Albany研發(fā)18吋晶圓技術(shù)。半導(dǎo)體業(yè)者認(rèn)為,若摩爾定律在10奈米制程以下浮現(xiàn)無法克服的極限,對于半導(dǎo)體大廠將非常不利,等于技術(shù)走到瓶頸,等著所有后進(jìn)者蜂擁而至追趕,因此,這些大廠一定要轉(zhuǎn)進(jìn)18吋晶圓,用技術(shù)和資金筑起厚實(shí)的競爭圍墻。

不過,臺積電指出,現(xiàn)在來講摩爾定律是否到極限其實(shí)還太早,因?yàn)榭杉尤朐S多創(chuàng)新技術(shù),來輔助摩爾定律持續(xù)走下去。比利時微電子(IMEC)營運(yùn)長LucVanDenHove亦指出,半導(dǎo)體技術(shù)在90~65奈米制程是采=StrainedSi技術(shù),在45~28奈米階段是用High-K金屬閘極技術(shù)(HKMG),而22奈米以下一直到14奈米制程,則會轉(zhuǎn)至3D晶片F(xiàn)inFET技術(shù)。

至于在10奈米制程以下技術(shù),臺積電則表示,現(xiàn)在來看是要采用極紫外光微影制程(EUV),或是多電子光束無光罩微影技術(shù)。

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