內(nèi)存廠商力晶受到標(biāo)準(zhǔn)型DRAM占營收比重不斷降低影響，11月營收20.26億元，創(chuàng)下2009年7月以來新低。盡管營收表現(xiàn)不佳，不過力晶正式宣布，宣布與日本瑞薩合作之90納米LCD驅(qū)動芯片高壓制程進入量產(chǎn)，持續(xù)朝轉(zhuǎn)型之路邁進。

力晶日前宣布淡出PC DRAM產(chǎn)業(yè)之后，積極邁開業(yè)務(wù)轉(zhuǎn)型步伐，該公司發(fā)言人譚仲民指出，代工事業(yè)的制程技術(shù)獲得重大進展，與瑞薩電子旗下之子公司Renesas SP Drivers Inc.合作的90納米驅(qū)動芯片高壓制程，已開發(fā)成功并進入量產(chǎn)，此技術(shù)承接原瑞薩電子之制程技術(shù)，將廣泛應(yīng)用于行動裝置的液晶面版驅(qū)動芯片上面。

力晶是國內(nèi)第一家采用12吋廠量產(chǎn)90納米驅(qū)動芯片的半導(dǎo)體公司，并采用材料成本較低的鋁制程。透過新一代90納米制程技術(shù)，力晶所生產(chǎn)的驅(qū)動芯片，可配置于鋁制程中的最小靜態(tài)隨機存取內(nèi)存，在相同的芯片面積下，較目前主流的130納米制程內(nèi)嵌內(nèi)存容量可增為兩倍，未來隨著智能型手機屏幕尺寸變大、分辨率提升的市場趨勢，終端客戶可在充分有效控制成本的情況下，提供給更高階的智能型手機使用。

譚仲民表示，Renesas SP Drivers Inc.一直是驅(qū)動相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域的先驅(qū)，新一代的技術(shù)更配合環(huán)保省電的要求，采用低電壓運作的設(shè)計，再加上制程技術(shù)與內(nèi)存領(lǐng)域的面積微縮技術(shù)，可以進一步達到內(nèi)存容量倍增及低耗電量的優(yōu)勢。

譚仲民強調(diào)，公司12吋廠90納米驅(qū)動芯片技術(shù)，適合搭載大容量內(nèi)存的高階智能型手機，將可望帶動該公司轉(zhuǎn)型晶圓代工的業(yè)務(wù)增長。

鑒于DRAM市場持續(xù)低迷，譚仲民指出，該公司已加大業(yè)務(wù)轉(zhuǎn)型的力度，進一步減少標(biāo)準(zhǔn)型DRAM的投片量，有效降低該項產(chǎn)品所造成現(xiàn)金流失，同時也將使DRAM在力晶的產(chǎn)銷比重顯著減少;至于晶圓代工部門持續(xù)投入研發(fā)，隨著代工業(yè)務(wù)的成長，將改善財務(wù)、營運體質(zhì)。

另外，受到標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存跌價與營收貢獻度持續(xù)減少下，力晶11月營收20.26億元，創(chuàng)下2009年7月以來新低紀(jì)錄，較上月減少5.8%，較去年同期亦衰退47.77%，累計前11月營收為356.32億元，年減53.89%。