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[導讀]根據(jù)外媒報道,日前三星晶圓代工業(yè)務負責人 Eun Seung Jung 在國際電子元件會議 (IEDM) 上表示,三星已經完成了 3 納米制程技術的性能驗證,并且正在進一步完善該制程技術的情況下,目標將是預計在 2020 年大規(guī)模量產,而這個時程也將超前臺積電在 2022 年正式量產 3 納米制程技術的計劃。

存儲器市場正面臨景氣反轉的憂慮。日前,外資花旗銀行在一份報告中表示,2019 年在 NAND Flash 方面將會降價 45%,而 DRAM 方面則會降價 30%,這樣的情況至少會持續(xù)到年中。

這雖然對消費者來說是件好事,但是對存儲器大廠,尤其是目前市占率排名第一的三星來說卻是個警示。因此,為降低存儲器景氣反轉所帶來的沖擊,三星持續(xù)強化在晶圓代工上的發(fā)展,日前更表示要超越臺積電,在 2020 年量產 3 納米技術。

根據(jù)外媒報道,日前三星晶圓代工業(yè)務負責人 Eun Seung Jung 在國際電子元件會議 (IEDM) 上表示,三星已經完成了 3 納米制程技術的性能驗證,并且正在進一步完善該制程技術的情況下,目標將是預計在 2020 年大規(guī)模量產,而這個時程也將超前臺積電在 2022 年正式量產 3 納米制程技術的計劃。

事實上,在當前全球晶圓代工市場上,臺積電已是一家獨大,占有全球晶圓代工市場大約 60% 的市占率。不僅營收遠超其他廠商,而且在當前最先進的 7 納米制程節(jié)點上,幾乎壟斷了目前所有芯片代工訂單。

根據(jù)臺積電早前透露,2018 年流片了 50 多個 7納米芯片,2019 年還有 100 多個 7 納米及加強版 7 納米 + 制程的訂單。因此,競爭對手三星要在 7 納米制程的節(jié)點追趕臺積點難度很高,所以將目光放在了更先進的 3 納米制程節(jié)點上。

過去,在晶圓代工方面,三星之前也是有過領先歷史。在包括 32 納米、14納米及 10 納米等制程節(jié)點上都率先量產。不過,7 納米制程節(jié)點上,三星則是進度落后臺積電。而且,連自家的 Exynos 9820 處理器也沒有使用上內含 EUV 技術的 7 納米制程,采用的還是 10 納米制程所改進的 8 納米 LPP 制程。雖然,在名稱上聽起來跟 7 納米制程差不多,但實際上相較華為麒麟 980、蘋果 A12及高通驍龍 855 等新一代旗艦型的處理器,仍落后一世代的技術。

另外,在當前存儲器市場面臨降價的大環(huán)境下,三星在半導體業(yè)務上的重點也開始傾向發(fā)展晶圓代工。2017 年,三星晶圓代工業(yè)務營收為 46 億美元,而目前三星的目標是將營收增加一倍,也就是到 100 億美元以上、不過,要實現(xiàn)這個目標,三星除了斥資 56 億美元興建新的晶圓廠之外,還要在技術上加把勁,趕超臺積電。

只是,說來容易,做起來恐怕很難。因為在 3 納米技術的節(jié)點上,臺積電除了準備投資新臺幣 6,000 億元(約 200 億美元)的資金建立新廠房與技術開發(fā)之外,目前更加緊與各知識產權廠商的合作,建立生態(tài)體系。

因此,雖然臺積電計劃在 2020 年建廠,2021 年完成設備安裝,2022 年才能進一步量產,落后于三星預計在 2020 年量產的時程。但是,在整體生態(tài)體系的完整建立下,加上制程技術并非先推出者就有優(yōu)勢,屆時還必須視最后各自的良率表現(xiàn)。因此,三星 3 納米制程是否真能超越臺積電,恐怕還有很多的變數(shù)。

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