在10nm節(jié)點之后，全球有能力研發(fā)先進工藝的半導體制造公司就剩下英特爾、臺積電及三星了，其中臺積電在7nm及以后的節(jié)點工藝上進度是最快的，目前幾乎壟斷了7nm芯片代工訂單。臺積電的5nm工藝最快明年也會試產(chǎn)，在此之后還有3nm工藝，臺積電目前還在準備階段，昨天臺灣主管部門通過了臺積電3nm工廠環(huán)差案，預計總投資不低于6000億新臺幣，也就是200億美元規(guī)模，2020年開工建設(shè)，2022年底量產(chǎn)3nm工藝。

對于3nm晶圓廠來說，除了技術(shù)研發(fā)之外，它對水電的消耗也不容忽視，特別是在大量使用EUV工藝之后，我們之前在介紹EUV光刻機時就提到過這個問題，由于EUV極其耗電，因為13.5nm的紫外光容易被吸收，導致轉(zhuǎn)換效率非常低，據(jù)說只有0.02%，目前ASML的EUV光刻機輸出功率是250W，工作一天就要耗電3萬度，所以晶圓廠耗電量極其驚人，臺積電公布的2016社會責任報告中提到耗電量總計88.5億度。

除了耗電之外，晶圓廠在制造芯片的過程中還需要大量水源，大型晶圓廠每日用水量高達5萬噸，盡管現(xiàn)在已經(jīng)做到了80%以上的循環(huán)用水，但是總量依然驚人，所以建設(shè)半導體晶圓廠對環(huán)境方面的壓力還是很大的，工藝越先進，問題就越明顯。

臺積電的3nm晶圓廠坐落在臺灣南科園區(qū)，占地28公頃，位置緊鄰臺積電的5nm工廠。今年8月中旬臺灣環(huán)保部門已經(jīng)通過了“臺南科學園區(qū)二期基地開發(fā)暨原一期基地變更計畫環(huán)差案”初審，昨天環(huán)差案通過審查，臺積電將于2020年9月自南科管理局取得用地后，隨即動土展開3納米新廠興建作業(yè)。

根據(jù)臺積電的資料，他們的3nm項目投資超過6000億新臺幣，約為194美元或者1347億人民幣，2020年開始建廠，2021年完成設(shè)備安裝，預計2022年底到2023年初量產(chǎn)。