臺(tái)積電近日宣布，新的6nm工藝將對(duì)現(xiàn)有的7nm技術(shù)進(jìn)行重大改進(jìn)，同樣擁有極紫外光刻(EUV)工藝，可以快速過(guò)渡并快速投產(chǎn)。

EUV是一種用于芯片生產(chǎn)的技術(shù)，目前正處于7nm+工藝的試驗(yàn)階段。6nm工藝預(yù)計(jì)將在2020年第一季度進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn)階段，這為其應(yīng)用于未來(lái)的A系列芯片提供了機(jī)會(huì)。早前媒體報(bào)道稱顯示，臺(tái)積電將在今年第二季度末開(kāi)始7nm EUV工藝量產(chǎn)，其中麒麟985以及蘋(píng)果A13處理器將會(huì)首先采用7nm EUV工藝。

而6nm EUV工藝主要為2020年的A14等芯片做好準(zhǔn)備。同時(shí)，臺(tái)積電也5nm制程已經(jīng)完成研發(fā)，據(jù)悉，6nm和5nm都有可能應(yīng)用于蘋(píng)果2020年iPhone的A14系列芯片中，主要看哪一個(gè)方案更優(yōu)。

臺(tái)積電的制程工藝命名比較有意思，6nm工藝(N6)聽(tīng)上去好像比7nm先進(jìn)了一代，不過(guò)它實(shí)際上是基于現(xiàn)有的7nm工藝改進(jìn)的，有點(diǎn)類似16nm到12nm工藝的改進(jìn)，臺(tái)積電表示他們利用了7nm到7nm EUV工藝的經(jīng)驗(yàn)及技術(shù)，使得N6工藝的邏輯密度提升了18%，設(shè)計(jì)方法與7nm工藝完全兼容，所以可以快速過(guò)渡到N6工藝上的，上市時(shí)間更快。

與7nm工藝相比，6nm工藝主要提升了18%的邏輯密度，也就是說(shuō)單位面積上的晶體管數(shù)量更多，或者說(shuō)同樣的晶體管數(shù)量下核心面積會(huì)更小，因此6nm工藝具備更好的成本優(yōu)勢(shì)，同時(shí)性能、功耗優(yōu)勢(shì)與7nm工藝保持相同。

臺(tái)積電預(yù)計(jì)在2020年Q1季度試產(chǎn)6nm工藝，主要針對(duì)中高端移動(dòng)芯片、AI、5G、消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品、GPU等等。

在臺(tái)積電宣布6nm工藝的同一天(16日)，三星也發(fā)布新聞稿宣布，完成極紫外光刻(EUV)技術(shù)的5nm制程研發(fā)，相較于7nm制程，面積縮小25%、耗電減少20%、性能提升10%，5nm制程還能使用7nm設(shè)計(jì)IP，借此幫助客戶減少5nm設(shè)計(jì)費(fèi)用。

臺(tái)媒報(bào)道指出，臺(tái)積電早于三星宣布完成5nm制程研發(fā)，預(yù)計(jì)在今年第2季進(jìn)行試產(chǎn)，而三星急起直追，根據(jù)目前全球晶圓代工市占率，三星第1季已經(jīng)提升至19.1%，但與臺(tái)積電的48.1%相比仍被甩在身后，三星能否在先進(jìn)制程競(jìng)爭(zhēng)中返回一局，還得看質(zhì)量如何。已經(jīng)領(lǐng)跑的臺(tái)積電則卡在三星5nm之后迅速推出可以更快投入市場(chǎng)的7nm EUV加強(qiáng)升級(jí)版——6nm EUV工藝，無(wú)疑是打算跟三星杠到底了。