雖然日本限制關(guān)鍵科技原料出口至韓國，對業(yè)界投下震撼彈，但三星電子(Samsung Electronics Co.)表明，目前并無減產(chǎn)DRAM等存儲器芯片的打算，還說日本出口限制令的沖擊難以估算，只能盡量把傷害降到最低。

BusinessKorea、東亞日報報導(dǎo)，三星一名高層7月31日在第二季(4-6月)財報電話會議上表示，日本政府并不是完全禁止半導(dǎo)體材料出口，只是增添了新的執(zhí)照申請程序，影響了三星的日常營運。日本政府未來究竟會怎么做，還是充滿不確定性，難以估算對公司的影響。該名高層并說，“目前不考慮減少晶圓產(chǎn)出，生產(chǎn)線將彈性運作，以因應(yīng)需求波動。”

在談到下半年的存儲器庫存變化時，三星高層透露，“今年下半年庫存將會下滑，但難以預(yù)測下降的速度有多快，因為外部環(huán)境仍有不確定因素。”他說，NAND型快閃存儲器庫存開始大幅下降，預(yù)料將在第三季來到適當?shù)乃弧?/p>

在被問到近來存儲器報價突然跳升的現(xiàn)象時，該名高層說，此一上升趨勢是否會影響到長期合約價，還是很難說。

展望明年，三星高層表示，存儲器設(shè)備的投資方案還在規(guī)劃中，位于中國西安的廠房可望在今年底前竣工，韓國的平澤廠則會在明年底前完工。

在專業(yè)晶圓代工方面，三星高層指出，華城廠的極紫外光(EUV)制程生產(chǎn)線預(yù)計明年上半年運作、一如原先規(guī)劃，該公司還將另外打造一條7納米EUV制程生產(chǎn)線、一條圖像傳感器生產(chǎn)線(S4)。該高層指出，三星實驗室正在評估一項設(shè)備，看看是否能把EUV制程應(yīng)用到第3代10納米級(1z-nm)DRAM的生產(chǎn)上面。