8月15日，據美光科技公司NAND開發(fā)副總裁弗朗基F.魯帕瓦稱，由于美光科技公司的50納米制程NAND閃存芯片計劃在2007年年初投產，它打算在市場上展開更為積極的進攻，計劃到2008年-2009年之間的時候將其市場占有率提高到10％以上。 

　　魯帕瓦稱，50納米制程4GBNAND芯片的批量投產計劃在7月底時就已經開始試生產了。 明年，美光科技公司將開始從IM Flash Technologies公司的12英寸加工廠采購NAND芯片，IM Flash Technologies公司是它與英特爾公司在今年年初合資組建而成。該加工廠位于美國猶他州萊西市，計劃月產能為20萬件硅片。 

　　萊西市加工廠和IM flash公司在弗吉尼亞州曼拉薩市的另外一家生產廠所使用的NAND閃存生產技術都是由美光科技公司在博伊西市的12英寸生產廠開發(fā)出來的。 
　　美國科技研究所的分析師道格弗里德曼曾經預計IM Flash公司將在隨后的三到四個月的時間里宣布再建一家生產廠，魯帕瓦承認IM Flash公司確有此打算并且已經開始物色新生產廠的建廠廠址。 

　　魯帕瓦還說，美光科技公司非常自信，認為它在全球NAND閃存市場上的占有率肯定會在2008年到2009年間超過10％。據iSuppli公司統(tǒng)計數(shù)據顯示，美光科技公司在2006年第一季度時的全球市場占有率為2.9％。