美國道康寧公司與東京應用化學工業(yè) (Tokyo Ohka Kogyo，TOK) 日前宣布，雙方已合作開發(fā)并在市場上推出新的雙層光阻。這種新材料將硅聚合物用于成像層 (imaging layer) 以提高蝕刻選擇性，滿足65奈米和更先進制程的微影要求。由于新光阻的高硅含量，因此也可免除多使用一層硬光罩的需要，簡化了次65奈米的制程。

    此一突破性材料的推出讓半導體產業(yè)的光阻技術與193奈米微影制程向前邁進了一大步。將道康寧創(chuàng)新的硅聚合物加入東京應用化學的感光材料，東京應用化學藉此推出這種全新的光阻材料，由于可免除硬光罩層的需要與其相關制程步驟，因此提供了次65奈米微影制程高成本效益的解決方案。

    半導體產業(yè)想將193奈米微影技術擴大應用到45奈米以下的先進制程，因此需要很薄的成像層以達到所需的解析度和制程適用范圍 (process window)。此外，它還要求更高的蝕刻選擇性，以將更小的電路圖案成功轉印到目標晶圓上，而以有機化學為基礎的現有光阻材料多半無法提供所需的蝕刻選擇性，所以通常會與許多其它不同層一起使用，包括可提供抗蝕刻能力要求的硬光罩層。

   東京應用化學已開始供應這種新光阻，此一新產品同時也可將微影制程的氣體釋出 (outgassing)?。?nbsp;降到無法偵測出來的低水準。氣體釋出是指曝光過程中化學物質緩慢釋放的現象，這會讓硅光阻材料釋出硅物質污染曝光設備的光學零件，過去常造成這類材料應用時產生問題。

   “我們與東京應用化學的合作使我們能將硅聚合物加入光阻材料，同時避免氣體釋出造成硅材料無法用于光阻的老問題，這些都是過去無法達成的事?！钡揽祵庪娮优c先進技術行銷總監(jiān)Tomonobu Noguchi表示，“下一代微影技術還要好幾年后才會商業(yè)化，因此道康寧與東京應用化學正攜手合作，以確保光微影技術的應用范圍擴大到65奈米以下的先進制程。”

    此一合作開發(fā)出的光阻已證明同時能用于干式 (dry) 和浸入式 (immersion) 微影制程，浸入式微影是一種先進的影像技術，正逐漸獲得45奈米以下先進制程市場的接受。東京應用化學已成功利用新光阻在浸入式微影環(huán)境制造出35奈米的導線/間距圖案。

    道康寧與東京應用化學自2002年起即展開一項合作協議，共同開發(fā)先進的硅基光微影材料。這項合作結合了東京應用化學的先進微制程 (microprocess) 技術與在光微影應用的專業(yè)知識，再加上道康寧在硅材料領域創(chuàng)新與制造能力的優(yōu)勢。微影技術開發(fā)作業(yè)則是在東京應用化學位于日本神奈川縣的研發(fā)中心中進行。