由日本的東北大學(xué)和索尼組成的研究小組開發(fā)出了有助于提高VA液晶面板的對(duì)比度及響應(yīng)速度的液晶配向新技術(shù),并在12月5日~7日舉行的“IDW(International Display Workshops)”上進(jìn)行了發(fā)表。使用該技術(shù),就不幣形成導(dǎo)致對(duì)比度下降的突起物以及像素電極縫隙,可使在垂直方向上配向的液晶分子在施加電壓時(shí)倒向特定方向。
VA液晶在不向液晶單元實(shí)施電壓時(shí),液晶分子通常處于垂直豎立狀態(tài),在施加電壓后液晶分子會(huì)橫向倒下。這時(shí),為了使液晶分子倒向特定的方向,一般需要在底板上形成突起物,或在像素電極中加入縫隙。不過,突起物及縫隙周圍的液晶配向會(huì)發(fā)生紊亂,使背照光發(fā)生泄漏,從而導(dǎo)致對(duì)比度下降。而使用此次的配向技術(shù),就不再需要形成突起物及像素電極縫隙,能夠大幅減少液晶配向紊亂導(dǎo)致的漏光現(xiàn)象。
另外,此次的配向技術(shù)還可有效提高VA液晶面板的響應(yīng)速度。普通VA液晶在施加電壓時(shí)突起物及縫隙邊的液晶分子會(huì)倒向某一方向,這時(shí)垂直配向的液晶分子就會(huì)像多米諾骨牌一樣順勢(shì)橫向倒下。因此,等到所有液晶分子全部倒下,需要較長(zhǎng)的時(shí)間。而使用此次的配向技術(shù)后,幾乎所有的液晶分子能以一次性傾斜(89度傾角)方式從垂直狀態(tài)倒向特定的方向,在施加電壓時(shí)液晶分子會(huì)同時(shí)橫向倒下。
此次的液晶配向技術(shù)的概要如下。首先在形成ITO電極的玻璃底板上涂布液晶單體。然后通過控制熱狀態(tài)使液晶單體垂直配向。最后在磁場(chǎng)中照射紫外線。結(jié)果導(dǎo)致液晶單體膜高分子化,而且液晶分子會(huì)從垂直狀態(tài)向特定方向略微傾斜。這樣便確定了注入液晶單元內(nèi)的液晶分子(負(fù)性)的配向方向及傾角。
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