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[導(dǎo)讀]韓國ATLab Inc宣布開發(fā)出電阻式多點觸控(Resistive Multi Touch,R-MT)技術(shù),Han wool Information Tech (HWIT)公司將負責(zé)制作產(chǎn)品。據(jù)ATLab表示,其技術(shù)具備電阻膜觸控屏幕的低價優(yōu)勢,且性能可超越iPhone。ATLab開

韓國ATLab Inc宣布開發(fā)出電阻多點觸控(Resistive Multi Touch,R-MT)技術(shù),Han wool Information Tech (HWIT)公司將負責(zé)制作產(chǎn)品。據(jù)ATLab表示,其技術(shù)具備電阻膜觸控屏幕的低價優(yōu)勢,且性能可超越iPhone。

ATLab開發(fā)的電阻膜R-MT技術(shù)為100%數(shù)字電路,可達到快速反應(yīng)及減少功率消耗等目標。R-MT允許使用者同時使用手指及手寫方式,輸入語言方面無限制,可使用韓文、英文或漢字。還可用手指放大或縮小圖片。

在制作成本方面,R-MT也較電容式多點觸控(C-MT)更具優(yōu)勢。目前,ATLab已擁有三項相關(guān)專利,包括:KRAP10-2008-0127410;KRAP10-2009-0014944;KRAP10-2009-0028199。

新的R-MT大幅簡化了制程,它以UV Ink和內(nèi)建ITO之Poly Carbonate取代使用光學(xué)式薄膜與2張ITO膜的方式,可大幅減少制作成本、提高產(chǎn)品制作速度,甚至還可以提高良率。據(jù)估計,透過上述方式,約可減少10~15%的成本支出。

ATLab Inc已開發(fā)出兼具電阻與電容觸控優(yōu)點的技術(shù),未來也計劃推出客制化產(chǎn)品,為用戶提供ASIC解決方案。(編輯:于占濤)

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