歐司朗光電半導(dǎo)體進(jìn)行LED芯片制造升級和產(chǎn)能擴(kuò)充
[導(dǎo)讀]歐司朗光電半導(dǎo)體在擴(kuò)大兩家芯片制造廠規(guī)模的同時,還將它們升級為6英寸晶圓制造基地,從而大幅提高產(chǎn)量。其中,馬來西亞檳城基地正在興建一座生產(chǎn)大樓,而德國雷根斯堡基地則正在重新劃撥現(xiàn)有廠房。這兩個基地都將采
歐司朗光電半導(dǎo)體在擴(kuò)大兩家芯片制造廠規(guī)模的同時,還將它們升級為6英寸晶圓制造基地,從而大幅提高產(chǎn)量。其中,馬來西亞檳城基地正在興建一座生產(chǎn)大樓,而德國雷根斯堡基地則正在重新劃撥現(xiàn)有廠房。這兩個基地都將采用新的制造技術(shù),引入6英寸晶圓來替代目前的4英寸晶圓。采取這些措施后,到2012年底,白光LED的芯片產(chǎn)量將有望翻番。
通過這一系列舉措,歐司朗光電半導(dǎo)體將因應(yīng)國際LED市場的增長潛力,趁勢擴(kuò)充雷根斯堡和檳城兩個芯片制造基地的產(chǎn)能,進(jìn)一步夯實(shí)其在國際市場的領(lǐng)先地位。檳城芯片制造廠開業(yè)不到兩年,如今已迎來擴(kuò)建升級至6英寸晶圓制造基地的大好時機(jī),總廠房面積到2012年將升至25,000平方米,新增400個工作崗位。在雷根斯堡基地,將重新規(guī)劃可用空間,最早于2011年夏開始對InGaN(氮化銦鎵)生產(chǎn)進(jìn)行逐步升級。
歐司朗光電半導(dǎo)體首席執(zhí)行官AldoKamper先生表示:“通過擴(kuò)充高性能InGaN芯片的產(chǎn)能,我們正一如既往地鞏固我們的市場地位。LED市場在許多不同的應(yīng)用領(lǐng)域具有很大的增長潛力,我們將繼續(xù)利用這一推動力不斷成長。歐司朗光電半導(dǎo)體是歐司朗LED技術(shù)增值鏈中的一個重要環(huán)節(jié)?!?BR>
這次產(chǎn)能擴(kuò)充主要會影響采用薄膜和UX:3技術(shù)的InGaN芯片,而這是生產(chǎn)白光LED時所必需的。今后,這些芯片都將從一開始就在6英寸晶圓上制造,而不再基于目前直徑為4英寸的晶圓。
通過這一系列舉措,歐司朗光電半導(dǎo)體將因應(yīng)國際LED市場的增長潛力,趁勢擴(kuò)充雷根斯堡和檳城兩個芯片制造基地的產(chǎn)能,進(jìn)一步夯實(shí)其在國際市場的領(lǐng)先地位。檳城芯片制造廠開業(yè)不到兩年,如今已迎來擴(kuò)建升級至6英寸晶圓制造基地的大好時機(jī),總廠房面積到2012年將升至25,000平方米,新增400個工作崗位。在雷根斯堡基地,將重新規(guī)劃可用空間,最早于2011年夏開始對InGaN(氮化銦鎵)生產(chǎn)進(jìn)行逐步升級。
歐司朗光電半導(dǎo)體首席執(zhí)行官AldoKamper先生表示:“通過擴(kuò)充高性能InGaN芯片的產(chǎn)能,我們正一如既往地鞏固我們的市場地位。LED市場在許多不同的應(yīng)用領(lǐng)域具有很大的增長潛力,我們將繼續(xù)利用這一推動力不斷成長。歐司朗光電半導(dǎo)體是歐司朗LED技術(shù)增值鏈中的一個重要環(huán)節(jié)?!?BR>
這次產(chǎn)能擴(kuò)充主要會影響采用薄膜和UX:3技術(shù)的InGaN芯片,而這是生產(chǎn)白光LED時所必需的。今后,這些芯片都將從一開始就在6英寸晶圓上制造,而不再基于目前直徑為4英寸的晶圓。





