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[導讀] 美國-普瑞光電( www.bridgelux.com )近日正式對外宣布其基于實驗室的最新技術研發(fā)成就:每瓦135流明的基于硅襯底的氮化鎵LED。 GaN-on-silicon LEDs 技術一直以來被業(yè)界認為是快速降低LED生產(chǎn)成本的利器,過去幾年也

美國-普瑞光電( www.bridgelux.com )近日正式對外宣布其基于實驗室的最新技術研發(fā)成就:每瓦135流明的基于硅襯底的氮化鎵LED。

GaN-on-silicon LEDs 技術一直以來被業(yè)界認為是快速降低LED生產(chǎn)成本的利器,過去幾年也一直是很多公司主要研發(fā)的方向。

普瑞光電相關負責人說,它的示范代表了行業(yè)的第一個商業(yè)硅襯底LED級芯片的性能極限。350mA的工作電流,僅為2.9伏的電壓(或者3.25伏在1安培下),規(guī)格為1.5mm*1.5mm,色溫為 4730K,光效達到135lm/W。

這個LED是基于一個8英寸的硅晶片。普瑞認為,低成本的硅晶片基于現(xiàn)代半導體制造業(yè)可以提供的成熟制程工藝,與目前主流4英寸藍寶石晶圓相比,硅晶片的成本將下降75% 。

普瑞同時指出,當前大直徑藍寶石和碳化硅襯底昂貴,加工難度大,一旦大批量生產(chǎn),有時無法得到廣泛應用。目前LED生產(chǎn)成本高抑制了家庭和商業(yè)建筑LED照明的廣泛應用。

此外,硅襯底顯示出低正向電壓和優(yōu)越的耐熱性,這使得它們非常適用于高性能,照明級應用。同時8英寸硅片外延工藝能夠很好的與現(xiàn)有自動化半導體線兼容。不過,普瑞還是注意到“當大批量生產(chǎn)時,需要改進目前在使用的一些其他材料,以消除與硅襯底制程工藝的不兼容?!?BR>
因為看到了硅襯底將來肯是LED產(chǎn)業(yè)的一個變革性技術工藝,在過去5年,普瑞首席技術官史蒂夫博士一直帶領著研發(fā)團隊悄然專注于硅上生長氮化鎵的項目研發(fā)。

普瑞公司表示,其在硅GaN的性能水平相當于領先今天最先進的藍寶石基LED 12-24個月的時間。

“普瑞的成就是對我們在硅材料及外延工藝技術領先優(yōu)勢,”普瑞公司首席執(zhí)行官Bill Watkins表示,“顯著降低成本的硅基LED技術使將顯著減少固態(tài)照明的前期資本投資。在今后的短短兩到三年,甚至對價格最敏感的市場,如商業(yè)和辦公照明,住宅應用將快速無縫轉化為固態(tài)照明?!?

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