Fuji Film發(fā)表新開發(fā)出，具有高穿透率、彎曲性之透明導(dǎo)電薄膜。主要將用于觸控面板，以
取代ITO薄膜為目標(biāo)。新產(chǎn)品在1月19日~21日于東京舉行之先端電子材料EXPO上，展出試作品
。Fuji Film乃應(yīng)用Negative Film技術(shù)，藉由高感度銀鹽、數(shù)位曝光，成功開發(fā)出新型透明導(dǎo)
電薄膜。薄膜上之配線，可任意搭配網(wǎng)狀、波線狀等形狀。

此外，薄膜兩面皆可成形。使用ITO進(jìn)行兩面配線時，則需要貼合兩片電極。使用此次開發(fā)出
的新產(chǎn)品因不需要該程序，可簡化制程。而且由于表面與背面之電極相對位置不會產(chǎn)生偏離狀
況，理論上不會出現(xiàn)感度不一致之現(xiàn)象。另不僅平面，亦可支援3D之成形加工。

新產(chǎn)品之特性為在光穿透性約94%之狀況下，薄膜電阻值為50Ω。Fuji Film表示，在光穿透性
約94%之狀況下，2011年度中可開發(fā)完成電阻值降低至一位數(shù)的薄膜。一般而言，光穿透率與
電阻值存在正向連動關(guān)系，光穿透率提高，電阻值亦會隨之大增。如何克服此問題，成為廠商
開發(fā)新產(chǎn)品之重要課題。