日本半導(dǎo)體能源研究所等開發(fā)出氧化物TFT液晶面板
[導(dǎo)讀]日本半導(dǎo)體能源研究所與Advanced Film Device(AFD)小組在全球最大的顯示器國際會議“SID2010”上,發(fā)布了圖片顯示時(shí)通過減小幀頻可將驅(qū)動(dòng)時(shí)所耗電量削減一位數(shù)的氧化物TFT液晶面板(論文序號:43.4)。據(jù)介紹,即使
日本半導(dǎo)體能源研究所與Advanced Film Device(AFD)小組在全球最大的顯示器國際會議“SID2010”上,發(fā)布了圖片顯示時(shí)通過減小幀頻可將驅(qū)動(dòng)時(shí)所耗電量削減一位數(shù)的氧化物TFT液晶面板(論文序號:43.4)。據(jù)介紹,即使幀頻減至1/60Hz,1分鐘內(nèi)無寫入操作,也可維持出色的圖片顯示。從原理上來看,新技術(shù)與通常的60Hz顯示時(shí)相比,驅(qū)動(dòng)電力可減至1/3600。
半導(dǎo)體能源研究所等此次新開發(fā)出了圖片顯示時(shí)減小幀頻的驅(qū)動(dòng)電路,該驅(qū)動(dòng)電路是利用高遷移率的IGZO氧化物半導(dǎo)體TFT在玻璃底板上制作而成的。另外,通過新開發(fā)常閉型(NormallyOff)(加載電壓為0V時(shí),無電流流動(dòng))氧化物半導(dǎo)體TFT,控制了因漏電流導(dǎo)致的耗電量增大現(xiàn)象。不過,常閉型氧化物半導(dǎo)體TFT的實(shí)現(xiàn)手法沒有公開。
半導(dǎo)體能源研究所試制出了采用此次驅(qū)動(dòng)技術(shù)的氧化物TFT液晶面板,并在論文發(fā)布后召開的開發(fā)者見面會(AuthorsInterview)上進(jìn)行了公開。試制面板的畫面對角尺寸為6英寸,像素為1024×768(XGA),精細(xì)度為212ppi,開口率為54%。(記者:田中 直樹)
半導(dǎo)體能源研究所等此次新開發(fā)出了圖片顯示時(shí)減小幀頻的驅(qū)動(dòng)電路,該驅(qū)動(dòng)電路是利用高遷移率的IGZO氧化物半導(dǎo)體TFT在玻璃底板上制作而成的。另外,通過新開發(fā)常閉型(NormallyOff)(加載電壓為0V時(shí),無電流流動(dòng))氧化物半導(dǎo)體TFT,控制了因漏電流導(dǎo)致的耗電量增大現(xiàn)象。不過,常閉型氧化物半導(dǎo)體TFT的實(shí)現(xiàn)手法沒有公開。
半導(dǎo)體能源研究所試制出了采用此次驅(qū)動(dòng)技術(shù)的氧化物TFT液晶面板,并在論文發(fā)布后召開的開發(fā)者見面會(AuthorsInterview)上進(jìn)行了公開。試制面板的畫面對角尺寸為6英寸,像素為1024×768(XGA),精細(xì)度為212ppi,開口率為54%。(記者:田中 直樹)





