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[導讀]7月29日,國家標準化管理委員會決定對2011年第一批擬立項國家標準項目公開征求意見。征求意見截止時間為2011年8月29日。 此次國標委公布的2011年第一批擬立項國家標準項目中,包括led相關標準23項,涉及外延芯片、封

7月29日,國家標準化管理委員會決定對2011年第一批擬立項國家標準項目公開征求意見。征求意見截止時間為2011年8月29日。

此次國標委公布的2011年第一批擬立項國家標準項目中,包括led相關標準23項,涉及外延芯片、封裝及照明應用各個環(huán)節(jié)。一旦這些國標順利實施,將對規(guī)范半導體照明市場、促進產(chǎn)業(yè)健康、快速發(fā)展,起到積極作用。

表1 國家標準化管理委員會公布的2011年第一批擬立項國家標準項目

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項目名稱 完成時間 主管部門 歸口單位 起草單位 范圍和主要技術內(nèi)容
Ⅲ族氮化物外延片結晶質(zhì)量測試方法 2012 國家標準化管理委員會 全國半導體設備和材料標準化技術委員會 中國科學院半導體研究所 本標準適用于利用高分辨X射線衍射對III氮化物外延片結晶質(zhì)量進行精準測量.
Ⅲ族氮化物外延片晶格參數(shù)測試方法 2012 國家標準化管理委員會 全國半導體設備和材料標準化技術委員會 中國科學院半導體研究所 本標準適用于利用高分辨X射線衍射對III氮化物外延片晶格常數(shù)進行精準測量.
LED發(fā)光用氮化鎵 2012 國家標準化管理委員會 全國半導體設備和材料標準化技術委員會 中國科學院半導體研究所 本規(guī)范規(guī)定了半導體發(fā)光二極管用氮化鎵材外延材料的技術要求、檢驗規(guī)則和檢驗方法.完成本研究項目后,我們將提交的技術文件包括:LED用外延片材料物理性能數(shù)據(jù)庫;LED用氮化物外延片測試方法;LED發(fā)光用氮化物材料性能規(guī)范.
LED外延芯片用磷化鎵襯底規(guī)范 2012 國家標準化管理委員會 全國半導體設備和材料標準化技術委員會 中國科學院半導體研究所 本標準規(guī)定了LED外延芯片用磷化鎵襯底的分類、技術要求(電阻率、遷移率、載流子濃度要求;位錯密度要求;晶向;襯底的幾何形貌及外形尺寸要求等.)檢驗規(guī)則、標志、包裝、運輸及貯存.
LED外延芯片用砷化鎵襯底規(guī)范 2012 國家標準化管理委員會 全國半導體設備和材料標準化技術委員會 中國科學院半導體研究所、國瑞、協(xié)鑫硅材料等 本標準規(guī)定了LED外延芯片用砷化鎵襯底的分類、技術要求(電阻率、遷移率、載流子濃度要求;位錯密度要求;晶向;襯底的幾何形貌及外形尺寸要求等.)檢驗規(guī)則、標志、包裝、運輸及貯存.
氮化鎵外延片及襯底片 2012 國家標準化管理委員會 全國半導體設備和材料標準化技術委員會 上海藍光科技有限公司、東莞市中鎵半導體科技有限公司 本標準規(guī)定了氮化鎵外延片及襯底的技術要求、檢驗方法、檢驗規(guī)則、標志、包裝運輸和貯存等內(nèi)容.本標準適用于采用金屬有機氣相外延方法得到的的N型氮化鎵外延片和P型氮化鎵外延片及采用氫化物氣相外延得到的氮化鎵襯底片.產(chǎn)品主要用于制作氮化鎵半導體器件,其他類型的氮化鎵外延片可參照執(zhí)行.詳細內(nèi)容見附件.
氮化物LED外延片內(nèi)量子效率測試方法 2012 國家標準化管理委員會 全國半導體設備和材料標準化技術委員會 中國科學院半導體研究所 適用于氮化物半導體LED外延材料的內(nèi)量子效率檢測. 通過測量低溫(10K)和室溫下的PL發(fā)光積分強度確定外延片的內(nèi)量子效率.確定測試的條件要求和設備系統(tǒng)的技術要求.
藍寶石襯底片厚度及厚度變化測試方法 2012 國家標準化管理委員會 全國半導體設備和材料標準化技術委員會 協(xié)鑫光電科技(江蘇)有限公司 本標準涉及用于氮化?生長、半導器件襯底等的高純藍寶石單晶單面拋光片,明確藍寶石襯底片的幾何參數(shù)測定方法
藍寶石單晶襯底拋光片規(guī)范 2012 國家標準化管理委員會 全國半導體設備和材料標準化技術委員會 協(xié)鑫光電科技(江蘇)有限公司 本標準涉及用于氮化?生長、半導器件襯底等的高純藍寶石單晶單面拋光片,明確2inch、4inch、6inch藍寶石襯底片的幾何參數(shù)測定方法,參考面的加工方法、缺陷判定標準、包裝、標示等
藍寶石單晶晶錠 2012 國家標準化管理委員會 全國半導體設備和材料標準化技術委員會 協(xié)鑫光電科技(江蘇)有限公司 本標準涉及用于氮化?生長、半導器件襯底等的高純藍寶石單晶?,明確定?藍寶石晶?的幾何參數(shù)測定方法,參考面的加工方法、缺陷判定標準、包裝、標示等
藍寶石晶錠應力測試方法 2012 國家標準化管理委員會 全國半導體設備和材料標準化技術委員會 協(xié)鑫光電科技(江蘇)有限公司 本標準涉及用于氮化?生長、半導器件襯底等的高純藍寶石單晶單面拋光片,明確藍寶石襯底片的幾何參數(shù)測定方法
碳化硅單晶拋光片 2012 國家標準化管理委員會 全國半導體設備和材料標準化技術委員會 北京天科合達藍光半導體有限公司、中國科學院物理研究所 本標準規(guī)定了碳化硅單晶拋光片的術語和定義、產(chǎn)品分類、技術要求、試驗方法、檢驗規(guī)則及標志、包裝、運輸和貯存等.本標準適用于4H晶型碳化硅和6H晶型碳化硅單晶拋光片,產(chǎn)品規(guī)格為2英寸至4英寸的導電型和半絕緣性碳化硅單晶拋光片.本標準參照SEMI M55.1-0304及國外先進標準,對碳化硅襯底材料的外形尺寸、表面幾何參數(shù)、晶面取向、晶片表面缺陷限度、微管密度、結晶質(zhì)量和電阻率等主要技術指標都進行了要求,并規(guī)定了各種缺陷的定義及檢測方法,適用于全國從事碳化硅晶片及其相關行業(yè)的所有企業(yè)和機構.
碳化硅單晶拋光片微管密度無損檢測方法 2012 國家標準化管理委員會 全國半導體設備和材料標準化技術委員會 北京天科合達藍光半導體有限公司、中國科學院物理研究所 本標準規(guī)定了碳化硅單晶拋光片的微管和微管密度的定義、方法提要、一般要求、測試程序、分析結果的計算、精密度、質(zhì)量保證和控制及檢測報告等.本標準適用于4H晶型碳化硅和6H晶型碳化硅單晶拋光片、微管的徑向尺寸在幾微米至幾十微米范圍內(nèi)的微管密度的測量.樣品表面法線方向為<0001>方向,且其偏離角不應大于±8°.該方法使用正交偏光顯微鏡的透射光模式, 利用入射光線在微管周圍處的折射系數(shù)差異來確定微管,從而計算出相應的微管密度.
LED用稀土氮化物紅色熒光粉 2012 國家標準化管理委員會 全國稀土標準化技術委員會 有研稀土新材料股份有限公司 本標準適用于發(fā)光二極管用氮化物紅色熒光粉,可用于顯示、背光源或一般照明.主要技術內(nèi)容包括,LED用氮化物紅色熒光粉相關的名詞術語及其定義、熒光粉的要求、試驗方法、檢驗規(guī)則及標志、包裝、運輸、貯存等內(nèi)容.
LED用稀土硅酸鹽熒光粉 2012 國家標準化管理委員會 全國稀土標準化技術委員會 大連路明發(fā)光科技股份有限公司 范圍:用于LED的硅酸鹽體系熒光粉,主要包括發(fā)射綠光、黃光、橙紅色發(fā)光的各種結構形式的硅酸鹽熒光粉.主要技術內(nèi)容:用于LED的硅酸鹽體系熒光粉標準以及相關檢測試驗方法:相對亮度、激發(fā)發(fā)射光譜性能、色品坐標等.
LED用稀土硅酸鹽熒光粉試驗方法 第1部分:相對亮度的測定 2012 國家標準化管理委員會 全國稀土標準化技術委員會 大連路明發(fā)光科技股份有限公司 范圍:用于LED的硅酸鹽體系熒光粉,主要包括發(fā)射綠光、黃光、橙紅色發(fā)光的各種結構形式的硅酸鹽熒光粉.主要技術內(nèi)容:用于LED的硅酸鹽體系熒光粉的相對亮度試驗方法:包括激發(fā)光源、樣品盤的選擇及分析方法的建立
LED用稀土硅酸鹽熒光粉試驗方法 第2部分:光譜性能的測定 2012 國家標準化管理委員會 全國稀土標準化技術委員會 大連路明發(fā)光科技股份有限公司 范圍:用于LED的硅酸鹽體系熒光粉,主要包括發(fā)射綠光、黃光、橙紅色發(fā)光的各種結構形式的硅酸鹽熒光粉.主要技術內(nèi)容:用于LED的硅酸鹽體系熒光粉的光譜性能試驗:包括激發(fā)光譜、發(fā)射光譜曲線的建立
LED用稀土硅酸鹽熒光粉試驗方法 第3部分:色品坐標的測定 2012 國家標準化管理委員會 全國稀土標準化技術委員會 大連路明發(fā)光科技股份有限公司 范圍:用于LED的硅酸鹽體系熒光粉,主要包括發(fā)射綠光、黃光、橙紅色發(fā)光的各種結構形式的硅酸鹽熒光粉.主要技術內(nèi)容:用于LED的硅酸鹽體系熒光粉的色品坐標試驗,確定其在CIE色品圖中的具體位置及其發(fā)光顏色.
LED用稀土硅酸鹽熒光粉試驗方法 第4部分:熱穩(wěn)定性的測定 2012 國家標準化管理委員會 全國稀土標準化技術委員會 大連路明發(fā)光科技股份有限公司 范圍:用于LED的硅酸鹽體系熒光粉,主要包括發(fā)射綠光、黃光、橙紅色發(fā)光的各種結構形式的硅酸鹽熒光粉.主要技術內(nèi)容:用于LED的硅酸鹽體系熒光粉的熱穩(wěn)定性能試驗,包括激發(fā)光譜、發(fā)射光譜曲線的建立.
led筒燈 性能測試方法 2011 中國輕工業(yè)聯(lián)合會 全國照明電器標準化技術委員會 上海時代之光照明電器檢測有限公司 本標準適用于220V50Hz供電的各類LED筒燈的性能參數(shù)的測試方法,其中包括常規(guī)電性能、總光通量、光效、配光曲線、光束角、顯色性、壽命試驗方法和電磁兼容性能等測試方法,以及眩光、工作面等照度分布曲線的表征和測試方法.
LED筒燈 性能要求 2011 中國輕工業(yè)聯(lián)合會 全國照明電器標準化技術委員會 上海時代之光照明電器檢測有限公司 本標準適用于額定電壓220VAC50Hz;整體式LED筒燈,或自帶驅動裝置LED筒燈,或驅動裝置分離式LED筒燈.主要技術內(nèi)容包括產(chǎn)品的規(guī)格分類、初始光通量初始光效和光通維持率等基本光學性能指標,電氣等安全要求及無線電騷擾特性等.
反射型自鎮(zhèn)流LED燈 性能測試方法 2011 中國輕工業(yè)聯(lián)合會 全國照明電器標準化技術委員會 國家電光源質(zhì)量檢驗中心(北京)、北京半導體照明科技促進中心 本標準適用于220V50Hz供電的各類反射型自鎮(zhèn)流LED照明產(chǎn)品的性能參數(shù)的測試方法,其中包括常規(guī)電性能、總光通量、光效、配光曲線、光束角、顯色性、壽命試驗方法和電磁兼容性能等測試方法,以及光生物危害、工作面等照度分布曲線的表征和測試方法.
反射型自鎮(zhèn)流LED燈 性能要求 2011 中國輕工業(yè)聯(lián)合會 全國照明電器標準化技術委員會 國家電光源質(zhì)量檢驗中心(北京)、北京半導體照明科技促進中心 本標準適用于額定電壓220VAC50Hz,燈頭符合E14、E27,產(chǎn)品類型類似于MR16, PAR20, PAR30, PAR38.本標準主要針對反射型自鎮(zhèn)流LED照明產(chǎn)品,規(guī)定了MR和PAR系列LED照明產(chǎn)品的技術要求,其中包括產(chǎn)品的規(guī)格分類、初始光通量、初始光效和光通維持率等基本光學性能指標,電氣等安全要求及無線電騷擾特性等.

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LED驅動電源是把電源供應轉換為特定的電壓電流以驅動LED發(fā)光的電壓轉換器,通常情況下:LED驅動電源的輸入包括高壓工頻交流(即市電)、低壓直流、高壓直流、低壓高頻交流(如電子變壓器的輸出)等。

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