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[導讀]索尼試制的有機EL面板,使用自對準型頂柵構造的氧化物TFT (點擊放大) 索尼開發(fā)出了減少亮度不均、提高畫質的有機EL面板,并在全球最大的顯示器學會“49th SID International Symposium, Seminar & Exhibition(


索尼試制的有機EL面板,使用自對準型頂柵構造的氧化物TFT (點擊放大)
索尼開發(fā)出了減少亮度不均、提高畫質的有機EL面板,并在全球最大的顯示器學會“49th SID International Symposium, Seminar & Exhibition(Display Week 2011)”(SID 2011)上發(fā)布。在發(fā)布后舉行的開發(fā)人員見面會上展示了試制品。為一睹其風采,眾多研究人員匯集在演示會場,觀看了該試制面板的影像。

導致有機EL面板亮度不均的原因之一,是在TFT的柵極電極與源漏電極之間存在產(chǎn)生的寄生電容。由于寄生電容的大小會隨著在屏幕上的位置不同而變化,從而產(chǎn)生了亮度不均問題。這種現(xiàn)象在低灰階時尤為明顯。如果能夠充分縮小TFT的寄生電容,就可解決亮度不均問題。

此次,索尼改進了TFT的構造。具體來說,就是把以前的底柵構造改為了自對準型頂柵構造。自對準型頂柵構造中由于柵極電極與源漏電極的距離變長,所以可充分縮小寄生電容

索尼為采用自對準型頂柵構造,開發(fā)出了新的制造工藝。主要由4道工序構成:(1)在玻璃基板上形成氧化物半導體IGZO、柵極絕緣膜及柵極電極后,利用干法刻蝕進行圖案加工。(2)利用濺射法在其上形成Al薄膜。(3)通過氧退火,氧化Al形成Al2O3保護層,同時在氧化物半導體表面擴散氧氣,以形成低電阻層。(4)涂布有機層后,穿出通孔形成源漏電極

利用工序(3)中形成的Al2O3保護層和氧化物半導體表面的低電阻層,可穩(wěn)定TFT性能提高時所必需的退火處理,還可實現(xiàn)高可靠性。另外,索尼在此次開發(fā)的制造工藝中,掩模工序僅為4道,在成本方面也具有優(yōu)勢。此外,由于自對準型頂柵構造中TFT的通道長度較短,易于實現(xiàn)有機EL的大屏幕化和高精細化以及提高驅動頻率。

此次索尼試制的有機面板,屏幕尺寸為9.9英寸,像素為960×540。亮度方面,全白時為200cd/m2,峰值時為600cd/m2以上。對比度為100萬比1以上。色彩表現(xiàn)范圍NTSC比為96%。(記者:田中 直樹)

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