索尼試制的有機EL面板，使用自對準型頂柵構(gòu)造的氧化物TFT （點擊放大）
索尼開發(fā)出了減少亮度不均、提高畫質(zhì)的有機EL面板，并在全球最大的顯示器學會“49th SID International Symposium, Seminar & Exhibition（Display Week 2011）”（SID 2011）上發(fā)布。在發(fā)布后舉行的開發(fā)人員見面會上展示了試制品。為一睹其風采，眾多研究人員匯集在演示會場，觀看了該試制面板的影像。

導(dǎo)致有機EL面板亮度不均的原因之一，是在TFT的柵極電極與源漏電極之間存在產(chǎn)生的寄生電容。由于寄生電容的大小會隨著在屏幕上的位置不同而變化，從而產(chǎn)生了亮度不均問題。這種現(xiàn)象在低灰階時尤為明顯。如果能夠充分縮小TFT的寄生電容，就可解決亮度不均問題。

此次，索尼改進了TFT的構(gòu)造。具體來說，就是把以前的底柵構(gòu)造改為了自對準型頂柵構(gòu)造。自對準型頂柵構(gòu)造中由于柵極電極與源漏電極的距離變長，所以可充分縮小寄生電容。

索尼為采用自對準型頂柵構(gòu)造，開發(fā)出了新的制造工藝。主要由4道工序構(gòu)成：（1）在玻璃基板上形成氧化物半導(dǎo)體IGZO、柵極絕緣膜及柵極電極后，利用干法刻蝕進行圖案加工。（2）利用濺射法在其上形成Al薄膜。（3）通過氧退火，氧化Al形成Al2O3保護層，同時在氧化物半導(dǎo)體表面擴散氧氣，以形成低電阻層。（4）涂布有機層后，穿出通孔形成源漏電極。

利用工序（3）中形成的Al2O3保護層和氧化物半導(dǎo)體表面的低電阻層，可穩(wěn)定TFT性能提高時所必需的退火處理，還可實現(xiàn)高可靠性。另外，索尼在此次開發(fā)的制造工藝中，掩模工序僅為4道，在成本方面也具有優(yōu)勢。此外，由于自對準型頂柵構(gòu)造中TFT的通道長度較短，易于實現(xiàn)有機EL的大屏幕化和高精細化以及提高驅(qū)動頻率。

此次索尼試制的有機面板，屏幕尺寸為9.9英寸，像素為960×540。亮度方面，全白時為200cd/m2，峰值時為600cd/m2以上。對比度為100萬比1以上。色彩表現(xiàn)范圍NTSC比為96％。（記者：田中 直樹）