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[導(dǎo)讀]LED領(lǐng)域全球?qū)@暾埞灿嫾s十二萬余件,其中在日本的專利申請量最多,其次為美國和中國,各主要國家和地區(qū)LED領(lǐng)域的專利申請都已突破一萬件。 根據(jù)LED的技術(shù)特點和行業(yè)劃分習(xí)慣,一般將LED領(lǐng)域分成襯底、外延、芯片

LED領(lǐng)域全球?qū)@暾埞灿嫾s十二萬余件,其中在日本的專利申請量最多,其次為美國和中國,各主要國家和地區(qū)LED領(lǐng)域的專利申請都已突破一萬件。

根據(jù)LED的技術(shù)特點和行業(yè)劃分習(xí)慣,一般將LED領(lǐng)域分成襯底、外延、芯片、封裝、應(yīng)用等部分。LED全球?qū)@夹g(shù)結(jié)構(gòu)布局情況如圖1所示,專利申請40%集中在封裝,其次為應(yīng)用(26%)和外延(17%)領(lǐng)域,襯底和白光的專利最少。襯底領(lǐng)域的專利25%集中在藍寶石,其次為砷化鎵(17%),硅(16%),氮化鎵(10%)等;外延領(lǐng)域的專利。

從有源層材料看86%集中在III-V族,從功能層來看75%集中在n型層,p型層和有源層,其次為覆蓋層和緩沖層(16%),在電流擴展層和歐盟接觸層等技術(shù)分支申請較少;芯片領(lǐng)域的專利39%集中在電極設(shè)計技術(shù),其次為反射膜技術(shù)(16%)、微結(jié)構(gòu)技術(shù)(12%)、芯片外形技術(shù)(11%)、襯底鍵合剝離技術(shù)(11%),在劃片、增透膜技術(shù)、鈍化技術(shù)等申請較少;封裝領(lǐng)域的專利63%集中在基板和封裝體,其次為散熱(15%)、電極互連(13%)和熒光體(7%)。專利申請多集中在封裝和應(yīng)用領(lǐng)域,這表明LED技術(shù)相對比較成熟,開始進入應(yīng)用階段。 

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