氧化鋅鎵(GZO)薄膜制程技術邁大步。找到材料稀少又昂貴的氧化銦錫(ITO)薄膜替代方案，已成觸控面板廠降低模組成本的重要途徑，因此，業(yè)者正加緊開發(fā)特性相近，價格僅ITO百分之一的GZO。目前在磁控濺鍍(MS)、離子鍍膜(RPD)及大氣壓電漿(AP)鍍膜技術發(fā)展?jié)u臻成熟下，GZO透明導電膜(TCO)已展開試產。

工研院機械所先進制造和新技術組電漿應用技術部經理張加強表示，工研院正利用專利大氣壓電漿輔助化學氣相沉積(AP-PECVD)設備，發(fā)展GZO鍍膜與圖案化制程，以取代ITO薄膜充當觸控模組的TCO層，助力業(yè)者控管生產成本。該技術采用低溫電漿成形手法，毋須透過高溫化學反應或采用昂貴的真空幫浦；不僅大幅節(jié)省設備開支，亦可符合綠色制程規(guī)范，過程中不會產生任何有毒物質。

面對ITO貨源集中，導致觸控模組成本居高不下的問題，以GZO、導電高分子(PEDOT)或碳奈米管(CNT)等新材料取代ITO的發(fā)展已勢不可當。其中，GZO與ITO同為無機材料，電阻值、光穿透率表現相近，且價格極具吸引力，系目前最被看好的替代方案。

張加強透露，工研院已攜手臺灣設備廠啟動GZO薄膜試產，可將厚度僅0.1毫米(mm)的GZO涂布于玻璃上，并將鎖定軟性背板，推行與卷對卷(Roll to Roll)制程相容的解決方案。預計在GZO鍍膜良率達到穩(wěn)定水準后，將陸續(xù)技轉給相關業(yè)者，提高臺灣觸控模組廠對上游材料的成本掌控度，進而厚實市場競爭力。

除應用大氣壓電漿制作GZO薄膜外，磁控濺鍍(Magnetron Sputtering, MS)、離子鍍膜(Reactive Plasma Deposition, RPD)制程亦迭有進展。日本LINTEC研究中心設備材料實驗室首席研究員Koichi Nagamoto指出，LINTEC正以離子鍍膜技術研發(fā)將GZO貼合在玻璃或聚酯樹脂膜(PET)上的解決方案，并著手進行測試，包括光穿透率、電阻值、厚度及耐彎折度的表現均相當優(yōu)異。

Nagamoto更透露，LINTEC提出一項專利技術，可在PET與GZO薄膜之間，導入涂布緩沖層(Coating Buffer Layer)。該設計除可促進PET表面平滑，優(yōu)化光學特性外，并讓GZO更容易附著于PET上，藉以維持80%以上的光穿透率與增強耐彎折幅度，提升觸控功能。

至于下一階段的計劃，LINTEC將強攻磁控濺鍍技術。Nagamoto分析，基于磁性濺鍍制程的GZO電氣特性雖不如離子鍍膜出色，但其耐彎折度較佳，適合用在PET軟板上。因此，LINTEC已將其視為未來的布局重點，將針對此一制程的蝕刻步驟進行全面檢測，以改善生產良率。