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[導(dǎo)讀]【日經(jīng)BP社報(bào)道】以數(shù)十cm見方或數(shù)十cm見方以上的大面積,量產(chǎn)碳原子片狀排列的材料——石墨烯的技術(shù)不斷亮相。由此,有望將石墨烯薄膜用作觸摸面板、電子紙、有機(jī)EL面板以及太陽能電池等的透明導(dǎo)電膜。 韓國Grap

【日經(jīng)BP社報(bào)道】以數(shù)十cm見方或數(shù)十cm見方以上的大面積,量產(chǎn)碳原子片狀排列的材料——石墨烯的技術(shù)不斷亮相。

由此,有望將石墨烯薄膜用作觸摸面板、電子紙、有機(jī)EL面板以及太陽能電池等的透明導(dǎo)電膜。


韓國Graphene Square公司的石墨烯薄膜。這款薄膜是在銅箔上(左)和SiO2晶圓上制作的。

毎分鐘成膜數(shù)十cm

日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所(產(chǎn)綜研)于2012年4月宣布開發(fā)出了可量產(chǎn)大面積石墨烯的技術(shù)。這是一種在柔性基板上以卷對卷(R2R)方式對石墨烯進(jìn)行高速成膜的技術(shù)(圖1)。軋輥的卷取速度達(dá)到在膜寬30cm的條件下,毎分鐘達(dá)到數(shù)十厘米。

產(chǎn)綜研此次是通過組合使用此前以制作人工金剛石為目的開發(fā)的“表面波等離子體化學(xué)氣相沉積法(SWP-CVD)”方法以及R2R實(shí)現(xiàn)的。石墨烯薄膜可以高速成膜的最大理由是將基板上的溫度保持在300℃以上,以CVD方式在低溫下保存。成膜所需時(shí)間僅在“30秒以下”(產(chǎn)綜研納米管應(yīng)用研究中心納米物質(zhì)涂層小組研究組長長谷川雅考)。原來需要在一個(gè)小時(shí)左右的時(shí)間里,將基板上的溫度保持在1000℃。[!--empirenews.page--]

圖1:可量產(chǎn)30cm寬的石墨烯薄膜
(a)是產(chǎn)綜研開發(fā)的石墨烯薄膜量產(chǎn)用SWP-CVD裝置的概要。將內(nèi)部插有天線的圓筒狀石英管排列起來,向其中加載2.45GHz的交流電壓,由此產(chǎn)生等離子。(b)是產(chǎn)綜研在2012年2月展會上展出的“石墨烯觸摸面板”。

適用于透明導(dǎo)電膜

作為用于多種用途的透明導(dǎo)電膜,石墨烯的特性非常出色。比如光透射率較高。單層石墨烯的光透射率在理論上為97.5%。由于透射率沒有波長依賴性,因此對于對太陽能電池來說非常重要的近紅外區(qū)電磁波,石墨烯具有較高的透射性。而且,針對機(jī)械彎曲的耐久性也較高。石墨烯非常薄,幾乎不會出現(xiàn)其他薄膜存在的光封存問題。

另外,石墨烯針對水蒸氣的氣體阻隔(Gas Barrier)性在理論上為10-11g/m2[!--empirenews.page--]/日,可以滿足有機(jī)EL面板封裝所需要的10-6g/m2/日。

關(guān)于石墨烯薄膜的薄膜電阻值,“我們制作的產(chǎn)品當(dāng)光透射率為87%時(shí),薄膜電阻值為500Ω/□”(產(chǎn)綜研的長谷川),雖然還稍微有些大,但“以前的薄膜電阻值卻在1kΩ/□左右。今后計(jì)劃進(jìn)一步降低電阻值”(長谷川)。正在考慮與導(dǎo)電性較高的金屬納米網(wǎng)片(Mesh Sheet)等組合使用的解決方案。

產(chǎn)綜研已經(jīng)利用通過此次技術(shù)制作的石墨烯試制出了觸摸面板等產(chǎn)品,“沒有發(fā)現(xiàn)問題,可以正常工作”(產(chǎn)綜研)。

薄膜電阻值以外的課題包括使石墨烯成膜的銅(Cu)箔要求具有較高的質(zhì)量和平坦性,以及從銅箔向PET膜等轉(zhuǎn)印石墨烯時(shí)需要一定的時(shí)間。長谷川表示,“銅箔需要在石墨烯成膜前進(jìn)行一個(gè)小時(shí)左右的退火(加熱),以提高平坦性。轉(zhuǎn)印要在銅箔上粘貼薄膜后,通過蝕刻將銅熔化,因此需要時(shí)間”。

韓國企業(yè)開始銷售制造裝置

[!--empirenews.page--]在石墨烯的研究開發(fā)領(lǐng)域,各國的企業(yè)和研究機(jī)構(gòu)競爭激烈。其中處于全球領(lǐng)先地位的是韓國企業(yè)。

韓國Graphene Square公司雖然是一家2012年1月剛剛成立的風(fēng)險(xiǎn)企業(yè),但卻開發(fā)出了大面積石墨烯薄膜的制造裝置,已從2012年春季開始在日本等國家銷售(圖2)注1)。日本總代理商Itrix代表懂事社長長谷川正治表示,“聽說該設(shè)備在韓國已經(jīng)賣出了100臺”。

圖2:韓國廠商量產(chǎn)制造裝置
(a)是Graphene Square公司正在銷售的A4尺寸石墨烯薄膜制造用CVD裝置。先將銅箔卷成卷放入石英管內(nèi),然后向其中注入甲烷(CH4)氣體,并加熱至1000℃,由此使石墨烯成膜。(b)是以相同方法制造、并轉(zhuǎn)印至PET基板上的30英寸(700mm×400mm)石墨烯薄膜。


注1)Graphene Square公司是由石墨烯研究人員、韓國首爾國立大學(xué)(Seoul National University) 教授Byung Hee Hong成立的企業(yè)。技術(shù)人員大部分來自一直從事石墨烯成膜技術(shù)研發(fā)的韓國Samsung Techwin。不過,Graphene Square公司與Samsung集團(tuán)沒有資本關(guān)系。
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采用該裝置制作的石墨烯薄膜的特點(diǎn)是“薄膜電阻值僅為125Ω/□,所以質(zhì)量很高”(產(chǎn)綜研的長谷川)(表1)。不過,產(chǎn)品存在成膜溫度高達(dá)1000℃、成膜耗費(fèi)時(shí)間的課題。




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