在2013年1月16～18日于東京有明國際會展中心舉行的“日本第3屆LED及有機EL照明展”上，田村制作所及其子公司光波公司展出了其開發(fā)的使用氧化鎵（β-Ga2O3）的白色LED。該LED由在β型-a2O3基板上制作的GaN類半導體藍色LED芯片上組合使用熒光體。其不同點在于，與使用在藍寶石基板上制作的普通藍色LED芯片時相比，具有容易提高光輸出功率的特點。

田村制作所與光波此次在會場上展出了分別使用0.3mm見方和2mm見方藍色LED芯片的兩種白色LED。0.3mm見方產品為400mA驅動型，2mm見方產品為6A驅動型。2mm見方產品的亮度為500lm左右，“目標是提高至藍寶石基板型產品難以實現(xiàn)的2000～3000lm”。

由于藍寶石基板具有絕緣性，因此藍寶石基板型產品必須采用將陽極電極和陰極電極橫向配置的橫向結構。而β-Ga2O3基板具備高導電性，因此可采用在LED芯片的表面和背面分別形成陽極和陰極的垂直結構。垂直結構與橫向結構相比，不僅能降低元件電阻及熱阻，而且還容易使電流分布均勻化。元件電阻及熱阻越小，LED芯片產生的熱量就越少，因此適合大電流驅動的情況。

雖然GaN基板也適合用來制作高功率LED，但“采用β-Ga2O3基板的成本更低”。目前，GaN基板使用名為HVPE法的氣相生長法來制造，而β-Ga2O3基板采用的是溶液生長法。理論上來說，溶液生長法更適于實現(xiàn)基板的品質提高及大尺寸化。

目前已實現(xiàn)產品化的β-Ga2O3基板的口徑為2英寸。田村制作所計劃在2014年試制4英寸產品，并于2015年正式推出產品，此外還將挑戰(zhàn)開發(fā)口徑為6英寸的產品。

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