[導讀]日經新聞25日報導,由Sony、東芝、日立以及日本官民基金「產業(yè)革新機構(INCJ)」合資設立的中小尺寸面板公司「Japan Display Inc(以下簡稱JDI)」將參與由九州大學、福岡縣所推動的研發(fā)案,攜手研發(fā)次世代OLED面板產品
日經新聞25日報導,由Sony、東芝、日立以及日本官民基金「產業(yè)革新機構(INCJ)」合資設立的中小尺寸面板公司「Japan Display Inc(以下簡稱JDI)」將參與由九州大學、福岡縣所推動的研發(fā)案,攜手研發(fā)次世代OLED面板產品,其最大特征為活用不使用稀有金屬、且可壓抑成本的發(fā)光材料,JDI并預計于2015年度進行量產,主要將應用于智慧型手機。報導指出,因三星電子握有全球中小尺寸OLED面板8成市占,故為了抗衡三星,JDI計劃率先于2013年度量產使用稀有金屬的OLED面板,之后并將緊接推出上述次世代OLED面板搶市。
據報導,JDI所將研發(fā)的OLED面板產品將使用被稱為「TADF」的發(fā)光材料,因TADF并不需要使用稀有金屬銥(iridium)或白金,故和現行使用稀有金屬的「磷光材料」相比,TADF的制造成本可降至磷光材料的約1/10。報導指出,九州大學的安達千波矢教授等人已于去年成功研發(fā)出上述TADF材料,目前正進行專利申請,之后并計劃將其發(fā)光效率提升至不遜于現行的磷光材料。
日本媒體日刊工業(yè)新聞于19日報導指出,JDI計劃投入可撓式OLED面板的研發(fā),并計畫最快于2014年進行量產。
JDI社長大冢周一曾于4月2日表示,JDI計劃于2012年度上半年內(2012年4-9月)提供OLED面板樣品給通訊機器等廠商,之后并計劃于2013年開始進行量產,正式進軍OLED面板市場。大冢周一表示,JDI計劃量產的OLED面板產品的畫素密度(pixel density)目標為300 ppi,將達三星產品的1.3倍。
Sharp于6月1日宣布,已研發(fā)出氧化物半導體 (IGZO)的新技術,并已利用該IGZO新技術試作出13.5吋、3.4吋OLED面板;其中,3.4吋OLED面板解析度為540x960、畫素密度達326 ppi,特色為具備可撓性(可彎曲)。
據報導,JDI所將研發(fā)的OLED面板產品將使用被稱為「TADF」的發(fā)光材料,因TADF并不需要使用稀有金屬銥(iridium)或白金,故和現行使用稀有金屬的「磷光材料」相比,TADF的制造成本可降至磷光材料的約1/10。報導指出,九州大學的安達千波矢教授等人已于去年成功研發(fā)出上述TADF材料,目前正進行專利申請,之后并計劃將其發(fā)光效率提升至不遜于現行的磷光材料。
日本媒體日刊工業(yè)新聞于19日報導指出,JDI計劃投入可撓式OLED面板的研發(fā),并計畫最快于2014年進行量產。
JDI社長大冢周一曾于4月2日表示,JDI計劃于2012年度上半年內(2012年4-9月)提供OLED面板樣品給通訊機器等廠商,之后并計劃于2013年開始進行量產,正式進軍OLED面板市場。大冢周一表示,JDI計劃量產的OLED面板產品的畫素密度(pixel density)目標為300 ppi,將達三星產品的1.3倍。
Sharp于6月1日宣布,已研發(fā)出氧化物半導體 (IGZO)的新技術,并已利用該IGZO新技術試作出13.5吋、3.4吋OLED面板;其中,3.4吋OLED面板解析度為540x960、畫素密度達326 ppi,特色為具備可撓性(可彎曲)。





