松下開發(fā)出低介電常數(shù)的多層基板材料
[導(dǎo)讀]松下開發(fā)出了用于智能手機(jī)及平板終端等的無鹵低介電常數(shù)多層基板材料“R-1555S”。該材料能滿足層疊多層基板的電路設(shè)時的阻抗匹配。介質(zhì)損耗角正切值（Df）為0.009。預(yù)定2012年9月開始量產(chǎn)。在層疊多層基板的電路設(shè)計
松下開發(fā)出了用于智能手機(jī)及平板終端等的無鹵低介電常數(shù)多層基板材料“R-1555S”。該材料能滿足層疊多層基板的電路設(shè)時的阻抗匹配。介質(zhì)損耗角正切值（Df）為0.009。預(yù)定2012年9月開始量產(chǎn)。
在層疊多層基板的電路設(shè)計中對輸入輸出阻抗進(jìn)行匹配時，通常需要對基板的厚度、電路寬度及介電常數(shù)等數(shù)值進(jìn)行調(diào)整。從近來高性能終端的發(fā)展趨勢來看，加厚基板的總厚度已變得越來越難。而且，隨著終端向小型化及高性能化發(fā)展，基板還在向高多層化推進(jìn)，因此要求減薄各絕緣層的厚度。使用普通介電常數(shù)（4.2）的基板材料時，需要實現(xiàn)超出以往的微細(xì)布線化。
此次開發(fā)的基板材料憑借松下自主研制的樹脂設(shè)計技術(shù)，實現(xiàn)了低介電常數(shù)（3.6）。通過使用這一低介電常數(shù)的材料，可在微細(xì)布線化趨勢下使電路寬度擁有富余，從而為提高電路形成時的成品率做出貢獻(xiàn)。
另外，此次材料的熱分解溫度比松下以往產(chǎn)品提高約10％，達(dá)到385℃?？梢种迫埸c(diǎn)高的無鉛焊錫回流焊接時發(fā)生層間剝離的情況。新材料的Br（溴）含有率低于0.01wt%，Cl（氯）含有率只有0.01wt%，而且不含銻，屬于無鹵材料。再加上支持無鉛焊錫回流焊接的特點(diǎn)，可以說是“充分考慮了對地球環(huán)境影響的基板材料?！?/span>
此次開發(fā)的基板材料
開發(fā)品與以往產(chǎn)品的元素分析比較（圖表由松下提供）
在層疊多層基板的電路設(shè)計中對輸入輸出阻抗進(jìn)行匹配時，通常需要對基板的厚度、電路寬度及介電常數(shù)等數(shù)值進(jìn)行調(diào)整。從近來高性能終端的發(fā)展趨勢來看，加厚基板的總厚度已變得越來越難。而且，隨著終端向小型化及高性能化發(fā)展，基板還在向高多層化推進(jìn)，因此要求減薄各絕緣層的厚度。使用普通介電常數(shù)（4.2）的基板材料時，需要實現(xiàn)超出以往的微細(xì)布線化。
此次開發(fā)的基板材料憑借松下自主研制的樹脂設(shè)計技術(shù)，實現(xiàn)了低介電常數(shù)（3.6）。通過使用這一低介電常數(shù)的材料，可在微細(xì)布線化趨勢下使電路寬度擁有富余，從而為提高電路形成時的成品率做出貢獻(xiàn)。
另外，此次材料的熱分解溫度比松下以往產(chǎn)品提高約10％，達(dá)到385℃?？梢种迫埸c(diǎn)高的無鉛焊錫回流焊接時發(fā)生層間剝離的情況。新材料的Br（溴）含有率低于0.01wt%，Cl（氯）含有率只有0.01wt%，而且不含銻，屬于無鹵材料。再加上支持無鉛焊錫回流焊接的特點(diǎn)，可以說是“充分考慮了對地球環(huán)境影響的基板材料?！?/span>
此次開發(fā)的基板材料
開發(fā)品與以往產(chǎn)品的元素分析比較（圖表由松下提供）
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