以智能創(chuàng)新為主題的“2012年日本電子高新技術博覽會”簡稱CEATEC，于10月2日、在日本千葉縣、幕張國際會展中心隆重舉行。夏普公司名為“氧化物半導體—IGZO帶給我們的未來”的展出，被授予“CEATEC AWARD 2012”經濟產業(yè)大臣獎。(Indium Gallium Zinc Oxide為氧化銦鎵鋅的縮寫，簡稱IGZO)

“CEATEC AWARD 2012”旨在促進IT與電子產業(yè)的發(fā)展，拓展新的市場需求，同時以“智能創(chuàng)新——創(chuàng)造豐富的生活和社會”為主題，從參展品中評選出最優(yōu)秀的技術和產品，授予其總務大臣獎和經濟產業(yè)大臣獎。


夏普水嶋副社長從經濟產業(yè)省商務情報政策局評委主席今林先生手中接過獎杯

夏普“IGZO”技術，實現了薄膜晶體管向高性能及小型化應用方面又邁進了一大步。預計該新技術會于不久的將來，在全球市場上得到廣泛推廣與應用，為需求量日益增大的智能手機等移動終端、高性能筆記本電腦以及液晶顯示器等設備提供更加理想的技術支持。通過本次夏普“IGZO”技術的獲獎不難看出，其在新產品的開發(fā)中所擁有的重要地位以及巨大的市場潛力。

“IGZO”技術是夏普公司在世界上率先成功實現量產、完全依靠人類現有技術創(chuàng)造出的透明化合物半導體。它是一種由銦(In)、鎵(Ga)、鋅(Zn)、氧(O)四種元素構成、具有獨特性質的人造物質。它將

以往半導體無法達成的功能變?yōu)榭赡?，并蘊含著讓未來生活發(fā)生劃時代巨變的潛能與資質，因此它的出現可被視作為一項具有革命性的技術創(chuàng)新。同時，其用途涉及多個行業(yè)及領域，有極高的科技價值與商業(yè)價值。

夏普“IGZO”這項新技術可使相當于以往非晶體半導體20-50倍的電流流入，并由此使液晶技術得以更進一步的提高。搭載夏普“IGZO”技術的液晶顯示屏，在高電子遷移率依托下(電子遷移率是表示在固體材料中電子運動速度快慢的量度)，成功締造出了超小型化、超細線化的新型薄膜晶體管。此外，該技術還能提高每一像素的透過量;在透過率同等的情況下，精細度可提高到原來的2倍左右。

夏普“IGZO”技術最大的優(yōu)勢就是實現了顯示器的低能耗。之前的顯示器即便在顯示靜態(tài)畫面時，也需要進行數據改寫，而夏普“IGZO”技術即便在電流呈切斷狀態(tài)下，依舊能在一定時間內保持圖像而不對數據進行修改，因此顯示屏的能耗將減至原來的1/5-1/10。這對需要長時間使用但又苦于能耗過大的顯示器來說，可謂是提供革命性的技術支持。

除液晶顯示屏外，在不久的將來，夏普“IGZO”技術還將衍生出更多具有格式功能的特色產品。例如將IGZO用于大面積傳感器，使其配合人體動作顯示出所需信息，并實現對其操控，或是用它制造具備視、聽、味、嗅、觸五種感官的傳感器及制造光學計算機的核心等等。擁有巨大潛力的夏普“IGZO”技術，將會不斷地創(chuàng)造出新的奇跡。

當然，不僅是“IGZO”技術，長久以來夏普的創(chuàng)新技術一直伴隨著我們發(fā)展至今，未來夏普還將引導人們的生活向更新、更舒適、更豐富邁進。

IGZO技術詳細情況，請參考夏普官方網站 http://www.sharp.co.jp/igzo/