隨著LED市場競爭的愈發(fā)激烈，LED芯片企業(yè)要保持市場地位，贏取穩(wěn)定的利潤率，就必須不斷提升產品性能，主動提高光效、降低成本，做到成本下降快于產品價格下降。而降低外延、芯片成本除了規(guī)?；a外，主要在技術創(chuàng)新上下功夫。提升芯片亮度，更應該從采用新技術、新結構、新工藝著手， 提升芯片性價比，以適應市場需求。

順應LED行業(yè)發(fā)展趨勢，先于客戶進行技術升級，北京北方微電子公司在充分了解國內外先進技術及客戶需求的基礎上，不斷研發(fā)新一代設備產品，并通過與客戶進行合作驗證的方式展開了前瞻性的技術布局。

先進Sputter工藝技術制備AlN緩沖層

目前用于LED產業(yè)化的襯底主要以藍寶石、SiC、Si為主，為實現(xiàn)GaN層在藍寶石、硅片等異質襯底上的外延生長，可在襯底生長一層多晶的GaN或AlN緩沖層?，F(xiàn)有的技術是利用MOCVD進行緩沖層的生長，但MOCVD生長效率低、成本高、產能低，如果能利用Sputter, PECVD等設備在襯底上先外延一層AlN 緩沖層，不僅可以更好的與藍寶石進行晶格匹配，更可有效的減少下一步外延生長的時間，降低原材料消耗，從而達到提高產能、降低成本的目的。此外，AlN的導熱性能優(yōu)于藍寶石，采用此技術同時可有效改善LED芯片的散熱性能，提高LED器件性能的可靠性。

采用Sputter方法制備AlN緩沖層已被證實是最優(yōu)化且最適用于量產的工藝技術，也可能是未來企業(yè)差異化競爭的技術路線之一，該技術目前已受到多家國內主流芯片廠商的密切關注。北方微電子公司擁有專業(yè)團隊進行專項技術研發(fā)，通過合理的設備硬件設計，有效解決了AlN緩沖層沉積均勻性和重復性問題，并積極同國內主流外延芯片廠商進行AlN緩沖層配套工藝研發(fā)及驗證，以此作為市場前瞻性的技術儲備之一。

TSV深孔刻蝕、填充工藝應對晶圓級封裝趨勢

近年來，藍寶石晶圓尺寸呈現(xiàn)越做越大的趨勢，逐漸由2英寸主導發(fā)展到4英寸、6英寸，甚至是8英寸等， 晶圓級封裝技術以顯著的成本優(yōu)勢將成為未來面向大尺寸LED芯片封裝的關鍵技術。

事實上，LED晶圓級封裝技術其實是從IC封裝演變而來，而北方微電子公司將多年IC高端裝備研發(fā)生產經(jīng)驗應用于LED行業(yè)裝備，跟進LED芯片與封裝制程不斷趨于融合的技術發(fā)展趨勢，研發(fā)了針對LED 先進封裝的TSV深槽刻蝕設備及配套的深孔金屬填充工藝設備，以先進的工藝解決方案為客戶技術升級做準備。

以不斷提高光效為宗旨優(yōu)化芯片制程的工藝研發(fā)

以GaN基LED技術為核心的半導體照明技術正向更高光效、更低成本，更可靠和更多元化的方向發(fā)展進步，而提高LED芯片的亮度和光電轉換效率是LED企業(yè)研究和開發(fā)的核心，也是LED替代其他傳統(tǒng)光源的驅動力所在。隨著LED芯片技術的不斷提升，各企業(yè)關注的增加出光效率的工藝制程也不斷在優(yōu)化。

針對目前各種不同技術優(yōu)化方案，北方微電子公司也一直秉承科技創(chuàng)新的理念，不斷提供各項提高LED光效的工藝解決方案。從首款大規(guī)模應用的國產化藍寶石圖形化襯底(PSS)刻蝕機到可顯著提升芯片的輸出光效、提高靶材利用率的LED ITO Sputter設備，北方微電子一直以客戶為中心，以先于客戶的技術儲備，為客戶技術升級提供先進的工藝解決方案。

此外，適用于倒裝芯片封裝技術的無損傷金屬反射層濺射設備、應用于高壓LED芯片制程的GaN深槽刻蝕設備、可用于制備更高穩(wěn)定性、亮度的LED芯片保護層、阻擋層的PECVD等設備工藝技術解決方案，均在北方微電子的前瞻性技術布局中整裝待發(fā)，期待能為客戶服務，使LED芯片企業(yè)能在以不斷降低成本、提升性能為競爭的市場環(huán)境中獲利更多。

憑借卓越的技術研發(fā)能力，完善的企業(yè)科研管理體制，具有前瞻性的研發(fā)創(chuàng)新布局，近日北方微電子喜獲 CSA2013年度評選“激情2013 年度最具創(chuàng)新力企業(yè)”殊榮。