北京時(shí)間9月16日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，在此前的蘋(píng)果發(fā)布會(huì)上，通過(guò)官方所展示的iPhone 5 SoC圖片我們了解了有關(guān)這款手機(jī)內(nèi)存接口、帶寬速率等數(shù)據(jù)。同此前的蘋(píng)果處理器一樣，全新的A6芯片同樣通過(guò)PoP堆疊技術(shù)將嵌入式處理器和DRAM內(nèi)存整合在一起。這樣的做法幫助蘋(píng)果大大節(jié)約了手機(jī)內(nèi)部空間，這對(duì)于智能手機(jī)這樣的小尺寸設(shè)備來(lái)說(shuō)十分重要。事實(shí)上，在當(dāng)代智能手機(jī)中，PoP堆疊技術(shù)已經(jīng)十分常見(jiàn)。

全新的A6芯片

在當(dāng)?shù)厥菚r(shí)間周三舉行的發(fā)布會(huì)上，蘋(píng)果并沒(méi)有明確給出有關(guān)全新A6芯片的詳細(xì)數(shù)據(jù)信息，我們只能通過(guò)圖片發(fā)現(xiàn)芯片上的出現(xiàn)的三星元件型號(hào)：K3PE7E700F-XGC2。通過(guò)對(duì)三星產(chǎn)品說(shuō)明書(shū)的查詢后我們發(fā)現(xiàn)，K3P這個(gè)型號(hào)代表的是這是一款基于32位信道的雙通道LPDDR2封裝芯片。而E7E7這行代碼則表明該芯片包括兩個(gè)DRAM核心，每個(gè)核心容量為512MB，總計(jì)1G。而最后的00F表該該芯片的頻率為1066MHz。

因此，在將以后所有這些信息匯總后，我們便得到了如下這樣一張數(shù)據(jù)圖。

iPhone 5的內(nèi)存峰值帶寬比iPhone 4S大約高出33%

通過(guò)對(duì)蘋(píng)果以往iOS設(shè)備的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)研究，我們發(fā)現(xiàn)iPhone 5的內(nèi)存峰值帶寬比iPhone 4S大約高出33%，這就使得iPhone 5可以更好的配合速度更快的圖形處理單元，并提供更高的顯示屏分辨率。據(jù)悉，目前已有許多芯片廠商開(kāi)始出貨LPDDR2-1066型號(hào)的DRAM芯片，因此蘋(píng)果采用這樣的芯片并不令人驚訝。不過(guò)，相對(duì)于新iPad，iPhone 5的內(nèi)存峰值帶寬仍然較低，這是因?yàn)閕Phone 5顯示屏和GPU不需要像新iPad一樣強(qiáng)大的圖形處理性能。

據(jù)了解，除了時(shí)鐘頻率之外，還有其他一些因素會(huì)影響設(shè)備的內(nèi)存帶寬。但目前我們尚不清楚，iPhone 5中A6芯片配套的內(nèi)存控制器是否與A5芯片一樣。ARM架構(gòu)的芯片一直由于內(nèi)存帶寬有效性的問(wèn)題飽受外界爭(zhēng)議，希望蘋(píng)果的A6芯片能夠有效解決這一問(wèn)題。