適用于電源關(guān)鍵型應(yīng)用的超低功耗閃存嵌入式邏輯工藝，以及適用于低成本應(yīng)用的單柵非易失性存儲(chǔ)器(NVM)[1] 嵌入式工藝

東芝公司今天宣布，該公司已基于使用小于當(dāng)前主流技術(shù)功率的65納米邏輯工藝開(kāi)發(fā)了閃存嵌入式工藝，以及基于130納米邏輯及模擬電源工藝開(kāi)發(fā)了單柵非易失性存儲(chǔ)器(NVM)工藝。將最佳工藝用于不同應(yīng)用將使東芝能夠擴(kuò)大其在微控制器、無(wú)線通信集成電路(IC)、電機(jī)控制驅(qū)動(dòng)器和電源IC 等領(lǐng)域的產(chǎn)品陣容。

130納米非易失性存儲(chǔ)器和65納米閃存的樣品出貨計(jì)劃分別于2015年第四季度和2016年第二季度啟動(dòng)。

目前，物聯(lián)網(wǎng)(IoT)市場(chǎng)在部分領(lǐng)域?qū)Φ凸挠兄鴱?qiáng)勁的需求，包括可穿戴和醫(yī)療保健相關(guān)的設(shè)備。作為回應(yīng)，東芝采用了SST[2]的第三代SuperFlash®電池技術(shù)，以及其自有的65納米邏輯工藝技術(shù)。該公司還擁有微調(diào)電路和制造工藝，用于開(kāi)發(fā)其超低功耗閃存嵌入式邏輯工藝。采用這種工藝的微控制器面向消費(fèi)和工業(yè)應(yīng)用推出，可將功耗降低至當(dāng)前主流技術(shù)的約60%。

繼首個(gè)系列的微控制器之后，東芝計(jì)劃于2016財(cái)年推出短距離無(wú)線技術(shù)——藍(lán)牙低功耗(BLE)產(chǎn)品——的樣品。該公司還計(jì)劃將65納米工藝應(yīng)用于其無(wú)線通信IC產(chǎn)品系列，包括近場(chǎng)通信(NFC)控制器和非接觸式卡。這些無(wú)線通信IC產(chǎn)品系列可優(yōu)化利用低功耗特征。

除了具備低功耗優(yōu)勢(shì)外，該加工技術(shù)還有助于縮短開(kāi)發(fā)時(shí)間，因?yàn)殚_(kāi)發(fā)過(guò)程中應(yīng)用軟件能夠輕松寫(xiě)入和重新寫(xiě)入閃存。

通過(guò)對(duì)提供超低功耗的設(shè)備進(jìn)行工程改造，以進(jìn)一步促進(jìn)專門的閃存外圍電路技術(shù)及邏輯和模擬電路技術(shù)的開(kāi)發(fā)，東芝將滿足市場(chǎng)對(duì)低功耗應(yīng)用持續(xù)增長(zhǎng)的需求。該公司致力于以50μA/MHz操作為目標(biāo)降低整個(gè)系統(tǒng)的功耗，以及面向物聯(lián)網(wǎng)開(kāi)發(fā)創(chuàng)新產(chǎn)品。

在關(guān)心成本是否顯著降低的應(yīng)用方面，東芝已開(kāi)發(fā)了一種NVM嵌入式工藝，這種工藝將YMC[3]的單柵多次編程(MTP)電池應(yīng)用于東芝的130納米邏輯工藝技術(shù)中。

采用針對(duì)寫(xiě)入時(shí)間的MTP規(guī)格可改善新工藝的性能，同時(shí)將掩膜圖案光刻中增加的步數(shù)限制在三步或更少，甚至為零。

NVM和模擬電路嵌在單一芯片上，可將多芯片系統(tǒng)通常執(zhí)行的多個(gè)功能整合。此舉可減少終端數(shù)量，以及實(shí)現(xiàn)更小型化封裝。

通過(guò)利用MTP來(lái)調(diào)整輸出精度，東芝將擴(kuò)大其在高精度至關(guān)重要的領(lǐng)域的產(chǎn)品陣容，例如電源管理IC。

注：

[1] NVM：非易失性存儲(chǔ)器。

[2] SST：美國(guó)超捷半導(dǎo)體。美國(guó)微芯科技公司(Microchip Technology Inc.)的全資子公司。

[3] YMC Inc.：億而得微電子公司。一家臺(tái)灣的IP開(kāi)發(fā)公司。

* SuperFlash®是美國(guó)微芯科技公司在美國(guó)及其他國(guó)家的注冊(cè)商標(biāo)。