Wide-IO技術(shù)目前已經(jīng)到了第二代，可以實(shí)現(xiàn)最多512bit的內(nèi)存接口位寬，內(nèi)存接口操作頻率最高可達(dá)1GHz，總的內(nèi)存帶寬可達(dá)68GBps，是最先進(jìn)的DDR4接口帶寬(34GBps)的兩倍。Wide-IO在內(nèi)存接口操作頻率并不高，其主要目標(biāo)市場(chǎng)是要求低功耗的移動(dòng)設(shè)備。

現(xiàn)在，主流的高級(jí)封裝標(biāo)準(zhǔn)包括：

1、三星主推的Wide-IO標(biāo)準(zhǔn)

Wide-IO技術(shù)目前已經(jīng)到了第二代，可以實(shí)現(xiàn)最多512bit的內(nèi)存接口位寬，內(nèi)存接口操作頻率最高可達(dá)1GHz，總的內(nèi)存帶寬可達(dá)68GBps，是最先進(jìn)的DDR4接口帶寬(34GBps)的兩倍。Wide-IO在內(nèi)存接口操作頻率并不高，其主要目標(biāo)市場(chǎng)是要求低功耗的移動(dòng)設(shè)備。

2、AMD，NVIDIA和海力士主推的HBM標(biāo)準(zhǔn)

HBM(High-Bandwidth Memory，高帶寬內(nèi)存)標(biāo)準(zhǔn)主要針對(duì)顯卡市場(chǎng)，它的接口操作頻率和帶寬要高于Wide-IO技術(shù)，當(dāng)然功耗也會(huì)更高。HBM使用3DIC技術(shù)把多塊內(nèi)存芯片堆疊在一起，并使用2.5D技術(shù)把堆疊內(nèi)存芯片和GPU在載板上實(shí)現(xiàn)互聯(lián)。目前AMD在2015年推出的FIJI旗艦顯卡首先使用HBM標(biāo)準(zhǔn)，顯存帶寬可達(dá)512 GBps，而顯卡霸主Nvidia也緊追其后，在2016年P(guān)ascal顯卡中預(yù)期使用HBM標(biāo)準(zhǔn)實(shí)現(xiàn)1 TBps的顯存帶寬。

3、美光主推HMC技術(shù)

HMC(Hybrid Memory Cube)標(biāo)準(zhǔn)由美光主推，目標(biāo)市場(chǎng)是高端服務(wù)器市場(chǎng)，尤其是針對(duì)多處理器架構(gòu)。HMC使用堆疊的DRAM芯片實(shí)現(xiàn)更大的內(nèi)存帶寬。另外HMC通過(guò)3DIC異質(zhì)集成技術(shù)把內(nèi)存控制器(memory controller)集成到DRAM堆疊封裝里。以往內(nèi)存控制器都做在處理器里，所以在高端服務(wù)器里，當(dāng)需要使用大量?jī)?nèi)存模塊時(shí)，內(nèi)存控制器的設(shè)計(jì)非常復(fù)雜。現(xiàn)在把內(nèi)存控制器集成到內(nèi)存模塊內(nèi)，則內(nèi)存控制器的設(shè)計(jì)就大大地簡(jiǎn)化了。最后，HMC使用高速串行接口(SerDes)來(lái)實(shí)現(xiàn)高速接口，適合處理器和內(nèi)存距離較遠(yuǎn)的情況(例如處理器和內(nèi)存在兩張不同的PCB板上)。相較而言，Wide-IO和HBM都要求處理器和內(nèi)存在同一個(gè)封裝內(nèi)。

Wide-IO標(biāo)準(zhǔn)、HBM標(biāo)準(zhǔn)、HMC技術(shù)都和內(nèi)存相關(guān)，下表是有關(guān)Wide-IO， HMC， HBM及DDR標(biāo)準(zhǔn)比較。

Wide-IO， HMC， HBM及DDR標(biāo)準(zhǔn)比較

4、TSMC主推的CoWoS和InFO技術(shù)

CoWoS(Chip-on-Wafer-on-Substrate)和InFO(Integrated Fan Out)是臺(tái)積電推出的 2.5D封裝技術(shù)，稱(chēng)為晶圓級(jí)封裝。臺(tái)積電的2.5D封裝技術(shù)把芯片封裝到硅載片上，并使用硅載片上的高密度走線進(jìn)行互聯(lián)。CoWoS針對(duì)高端市場(chǎng)，連線數(shù)量和封裝尺寸都比較大。InFO針對(duì)性?xún)r(jià)比市場(chǎng)，封裝尺寸較小，連線數(shù)量也比較少。目前InFO技術(shù)已經(jīng)得到業(yè)界認(rèn)可，蘋(píng)果在iPhone7中使用的A10處理器即將采用InFO技術(shù)。

InFO和CoWoS技術(shù)