根據(jù)韓國媒體28日的報(bào)道，海力士（HYnix）與意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）合資興建的江蘇無錫半導(dǎo)體廠，將在明年4月著手量產(chǎn)。 

韓國業(yè)界相關(guān)人員27日指出，據(jù)傳海力士最快將在明年第一季底，最遲將在明年第二季初啟用無錫廠。無錫廠將以生產(chǎn)DRAM為主，NAND型閃存則將視市場需求彈性生產(chǎn)。 

無錫廠區(qū)達(dá)16萬平方米，海力士計(jì)劃投入2兆韓元以上興建一座八吋晶圓廠與一座12吋晶圓廠。明年4月將啟用的為8吋晶圓廠，將采用90納米制程月產(chǎn)4萬片（以八吋為基準(zhǔn)）DRAM。