政府資金對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的巨大投入將使產(chǎn)業(yè)大幅增長(zhǎng)直至2020年。中國(guó)中央及地方政府已宣布投資高達(dá)500億美元在中國(guó)半導(dǎo)體及相關(guān)領(lǐng)域，標(biāo)志著全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)入投資業(yè)務(wù)模式。設(shè)備商和材料商們?nèi)绻芎椭袊?guó)產(chǎn)業(yè)伙伴保持良好關(guān)系，并且將業(yè)務(wù)延伸至下一代購(gòu)買者，那么在下一個(gè)十年將有巨大的收獲。

當(dāng)前全球產(chǎn)業(yè)低迷的消息，以及中國(guó)代工廠中芯國(guó)際（SMIC）和宏力（Grace）等緩慢的進(jìn)展，使中國(guó)各級(jí)政府對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)長(zhǎng)期激進(jìn)舉措的前景變得模糊。過去5年中，在中國(guó)政府的影響下，產(chǎn)生了70億美元的晶圓廠投資。在未來5年，全國(guó)范圍內(nèi)的地方政府將在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投入200至250億美元。再往前看，中國(guó)中央政府將在2020年前投入高達(dá)300億美元。

投資策略的最新動(dòng)作標(biāo)志著中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展進(jìn)入新的階段。2000年至2005年的第一階段，中國(guó)對(duì)代工廠進(jìn)行投資，以全面推動(dòng)芯片產(chǎn)業(yè)（設(shè)計(jì)-制造-封裝-測(cè)試）基礎(chǔ)設(shè)施的發(fā)展。

這個(gè)階段——以中芯國(guó)際、宏力、華虹、臺(tái)積電與和艦為代表——受私人投資和政府稅收優(yōu)惠支持聯(lián)合所帶動(dòng)。于2005年至2006年達(dá)到高峰的第二階段通過政府激勵(lì)對(duì)國(guó)際IDM進(jìn)行了支持，如英特爾和海力士。

至少將延續(xù)到2010年的當(dāng)前階段將出現(xiàn)前所未有的新模式：政府擁有“實(shí)際”IDM。這些近期及計(jì)劃的投資見圖1。這些項(xiàng)目中許多都是基于三種支撐：政府或國(guó)資投入、來自有經(jīng)驗(yàn)的公司（如中芯國(guó)際）的晶圓廠專業(yè)運(yùn)營(yíng)，以及市場(chǎng)/產(chǎn)品合作伙伴（如爾必達(dá)）。這種新的業(yè)務(wù)模式強(qiáng)調(diào)國(guó)內(nèi)投資成長(zhǎng)和中國(guó)作為全球半導(dǎo)體制造中心的持續(xù)重要性。
 
與以前不同，中國(guó)晶圓廠設(shè)備與材料采購(gòu)越來越多的來自于本地公司，而不是日本美國(guó)等。隨著本地、區(qū)域和國(guó)家政府資金介入新晶圓廠建設(shè)和設(shè)備采購(gòu)，采購(gòu)流程都采用中文。

市場(chǎng)多元化發(fā)展

由于中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)隨著政府、國(guó)際IDM和代工廠和中國(guó)本土投資的介入，市場(chǎng)也變得越來越多元化，300mm設(shè)備、大型封測(cè)基建在增長(zhǎng)，并迅速擴(kuò)充到FPD和光伏等相關(guān)產(chǎn)業(yè)。

中國(guó)已成為全球主要的IC需求地區(qū)，約占全球需求的28%。越來越多中國(guó)制造的芯片將滿足這種需求，包括300mm晶圓廠中的尖端制程。

同時(shí)，中國(guó)晶圓廠材料支出將在2010年前達(dá)到15億美元，增長(zhǎng)率領(lǐng)先于其他重要的微電子市場(chǎng)。此外，來自中芯國(guó)際、海力士、茂德等公司的300mm晶圓廠，以及近期臺(tái)灣當(dāng)局的一些變化，使尖端技術(shù)支出受到期待。

和晶圓制造一樣，中國(guó)封測(cè)市場(chǎng)（包括IDM內(nèi)部的封測(cè)業(yè)務(wù)）的增長(zhǎng)率繼續(xù)保持領(lǐng)先。中國(guó)目前已有超過45家封測(cè)工廠，大多集中在蘇州、無錫和上海。中國(guó)封測(cè)產(chǎn)業(yè)正在向西部擴(kuò)張，西安成都均已開建新廠。iSuppli的報(bào)告指出550多家無晶圓設(shè)計(jì)公司帶動(dòng)了這些工廠的產(chǎn)能利用。