內存產業(yè)經歷1年冰河期，今年第3季終于春暖花開。更值得注意的是，三星在11月30日晚間宣布，30奈米3-bitMLCNANDFlash開始量產，顯示三星關注焦點不再是DRAM，且稱霸內存企圖心十足。
據臺灣媒體報道，DRAM產業(yè)原已因供過于求而虧損，去年金融風暴更是雪上加霜，DRAM價格暴跌，DDR21GbeTT最低來到0。59美元，連三星也無可避免陷入虧損，Hynix、爾必達(Elpida)、美光(Micron)極力苦撐，中國臺灣業(yè)者更陷入嚴重現金流出，做一顆賠一顆的窘況，只能大幅減產以止血。
德廠奇夢達(Qimonda)終在今(2009)年初申請破產保護，成為整個產業(yè)秩序重整的第一步。
三星從今年第1季扭轉虧損步入盈余，開始投注更多精力在技術研發(fā)，以拉開與競爭對手的差距，今年7月宣布40奈米DDR3進入量產，時值第3季傳統(tǒng)旺季，DRAM價格一路上揚，DDR3的需求更快速增長，合約價隨后更低于DDR2，開啟DRAM世代交換。
三星的策略隨即奏效，今年第3季獲利創(chuàng)下歷史新高紀錄。
此外，還與海力士攜手，讓韓廠全球市占率一舉過半，甚至越走越高。
然而，三星的野心顯然不只是穩(wěn)坐DRAM龍頭，從今年9月宣布開始量產512Mb相位變化隨機存取內存芯片(PRAM)，意欲取代NORFlash后，11月30日正式宣布，開始量產30奈米3-bitMLCNANDFlash，稱霸內存市場的企圖心，不言而喻。
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關鍵字： 三星 Galaxy A14 LCD屏
