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[導讀] 據國外媒體報道,英特爾在本星期舉行的第九屆年度研究會議簡要介紹了其半導體工藝路線圖。通過把重點放在研發(fā)和投資生產方面,英特爾認為技術創(chuàng)新將使芯片生產工藝在6年之內縮小到7納米。英特爾技術和生產事業(yè)部負責

 據國外媒體報道,英特爾在本星期舉行的第九屆年度研究會議簡要介紹了其半導體工藝路線圖。通過把重點放在研發(fā)和投資生產方面,英特爾認為技術創(chuàng)新將使芯片生產工藝在6年之內縮小到7納米。

英特爾技術和生產事業(yè)部負責組件和研究的副總裁Mike Mayberry介紹了英特爾的半導體技術路線圖。這個計劃包括每12個月采用一種高級的生產工藝推出一種全新的處理器微架構。

英特爾目前正在開發(fā)其22納米工藝。使用3D架構的晶體管將首次用于代號為“Ivy Bridge”的22納米芯片中。這種芯片將在今年年底之前大批量生產。

兩年之后,英特爾將以14納米節(jié)點生產芯片,然后在2015年以10納米工藝生產芯片。最后,英特爾計劃在2017年生產其第一款7納米芯片。

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