東亞日?qǐng)?bào)：新半導(dǎo)體戰(zhàn)爭(zhēng)
[導(dǎo)讀]半導(dǎo)體也像汽車有潮流。二十世紀(jì)七十年代，因特爾等美國(guó)企業(yè)在動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存（D-RAM）市場(chǎng)占上風(fēng)。但由于大型計(jì)算機(jī)的出現(xiàn)，需要高性能D-RAM的二十世紀(jì)八十年代，日本企業(yè)名列前茅。而進(jìn)入二十世紀(jì)九十年代后，高
半導(dǎo)體也像汽車有潮流。二十世紀(jì)七十年代，因特爾等美國(guó)企業(yè)在動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存（D-RAM）市場(chǎng)占上風(fēng)。但由于大型計(jì)算機(jī)的出現(xiàn)，需要高性能D-RAM的二十世紀(jì)八十年代，日本企業(yè)名列前茅。而進(jìn)入二十世紀(jì)九十年代后，高性能D-RAM成為了浪費(fèi)品，反而小而貴的半導(dǎo)體深受歡迎。因此，大量生產(chǎn)PC用D-RAM的三星電子瞬間超越日本企業(yè)。那么走進(jìn)智能手機(jī)、平板計(jì)算機(jī)時(shí)代的如今，在節(jié)省電力的移動(dòng)式D-RAM競(jìng)爭(zhēng)中誰(shuí)會(huì)取得最終勝利？
昨天在三星電子器興區(qū)華城舉辦的“20NANO級(jí)D-RAM及Flash量產(chǎn)”活動(dòng)中再次驗(yàn)證了三星電子是內(nèi)存半導(dǎo)體的至尊?！耙恢焕匣ⅲㄈ请娮樱┖腿恍∝垼℉ynix、Elpida、Micron）”這一世界半導(dǎo)體生產(chǎn)結(jié)構(gòu)沒(méi)有改變。今年5月，排名世界第三的日本Elpida公布“世界最初25NANOD-RAM7月量產(chǎn)計(jì)劃”，進(jìn)而讓全世界震驚。不過(guò)目前只生產(chǎn)出試用品，沒(méi)能動(dòng)搖三星電子18年的根基。另外，排名世界第二的Hynix要從明年初開(kāi)始量產(chǎn)。
所謂20NANO是指半導(dǎo)體線路的線幅（電線間距）為20NANO米（1NANO米是10億分之一米）。線幅是頭發(fā)的4000分之一，真是令人難以想象。屬于尖端技術(shù)的10NANO級(jí)明年上市。過(guò)去，三星電子是以隨著美日企業(yè)大量生產(chǎn)兩國(guó)先開(kāi)發(fā)的D-RAM和NANDFlash提高理論。不過(guò)2006年是首次推出NANOD-RAM，而且今年為止每年推出改善的產(chǎn)品，進(jìn)而主導(dǎo)世界市場(chǎng)。是從“追隨型”轉(zhuǎn)為了“引領(lǐng)型”。
半導(dǎo)體業(yè)界的習(xí)慣就是量產(chǎn)現(xiàn)代芯片之前開(kāi)發(fā)下一代芯片。三星電子是開(kāi)發(fā)了下下一代芯片，進(jìn)而作為引領(lǐng)者占上風(fēng)。今年由于D-RAM價(jià)格下降，日本和臺(tái)灣企業(yè)考慮減產(chǎn)時(shí)三星電子會(huì)長(zhǎng)李建熙還鼓勵(lì)了攻擊性投資。昨天在活動(dòng)現(xiàn)場(chǎng)，李會(huì)長(zhǎng)表示：“要警戒半導(dǎo)體業(yè)界的強(qiáng)風(fēng)。”圍繞P-RAM(IBM)、R-RAM（三星電子）、M-RAM（Hynix）等引領(lǐng)下一代的半導(dǎo)體，日后將有一場(chǎng)驚心動(dòng)魄的戰(zhàn)爭(zhēng)。
昨天在三星電子器興區(qū)華城舉辦的“20NANO級(jí)D-RAM及Flash量產(chǎn)”活動(dòng)中再次驗(yàn)證了三星電子是內(nèi)存半導(dǎo)體的至尊?！耙恢焕匣ⅲㄈ请娮樱┖腿恍∝垼℉ynix、Elpida、Micron）”這一世界半導(dǎo)體生產(chǎn)結(jié)構(gòu)沒(méi)有改變。今年5月，排名世界第三的日本Elpida公布“世界最初25NANOD-RAM7月量產(chǎn)計(jì)劃”，進(jìn)而讓全世界震驚。不過(guò)目前只生產(chǎn)出試用品，沒(méi)能動(dòng)搖三星電子18年的根基。另外，排名世界第二的Hynix要從明年初開(kāi)始量產(chǎn)。
所謂20NANO是指半導(dǎo)體線路的線幅（電線間距）為20NANO米（1NANO米是10億分之一米）。線幅是頭發(fā)的4000分之一，真是令人難以想象。屬于尖端技術(shù)的10NANO級(jí)明年上市。過(guò)去，三星電子是以隨著美日企業(yè)大量生產(chǎn)兩國(guó)先開(kāi)發(fā)的D-RAM和NANDFlash提高理論。不過(guò)2006年是首次推出NANOD-RAM，而且今年為止每年推出改善的產(chǎn)品，進(jìn)而主導(dǎo)世界市場(chǎng)。是從“追隨型”轉(zhuǎn)為了“引領(lǐng)型”。
半導(dǎo)體業(yè)界的習(xí)慣就是量產(chǎn)現(xiàn)代芯片之前開(kāi)發(fā)下一代芯片。三星電子是開(kāi)發(fā)了下下一代芯片，進(jìn)而作為引領(lǐng)者占上風(fēng)。今年由于D-RAM價(jià)格下降，日本和臺(tái)灣企業(yè)考慮減產(chǎn)時(shí)三星電子會(huì)長(zhǎng)李建熙還鼓勵(lì)了攻擊性投資。昨天在活動(dòng)現(xiàn)場(chǎng)，李會(huì)長(zhǎng)表示：“要警戒半導(dǎo)體業(yè)界的強(qiáng)風(fēng)。”圍繞P-RAM(IBM)、R-RAM（三星電子）、M-RAM（Hynix）等引領(lǐng)下一代的半導(dǎo)體，日后將有一場(chǎng)驚心動(dòng)魄的戰(zhàn)爭(zhēng)。
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