21ic訊 ARM公司與全球領先的半導體晶圓代工商聯電近日共同宣布達成長期合作協議，將為聯電的客戶提供已經通過聯電28HPM工藝技術驗證的ARM Artisan物理IP解決方案。這項最新的28納米工藝技術的應用范圍極廣，包括手機與無線等便攜設備，以及數字家庭和高速網絡等高性能應用。此次合作集合了兩家公司的優(yōu)勢，將為雙方的客戶提供卓越的技術與支持。

ARM物理IP部門執(zhí)行副總裁兼總經理Simon Segars表示：“我們很高興聯電在28HPM工藝上采用ARM Artisan物理IP。至此，雙方客戶將能夠獲得完整的先進物理IP解決方案用于實現ARM技術，例如ARM CortexTM-A系列處理器。拓展ARM和聯電的合作關系，將加深雙方在28納米節(jié)點上的工藝技術與先進物理IP的開發(fā)方面的合作與創(chuàng)新，進而優(yōu)化性能、功耗效率和芯片密度，并體現ARM為先進工藝節(jié)點設計提供多樣化技術平臺的承諾。”

聯電客戶工程與IP研發(fā)設計支持部門副總裁S.C. Chien表示：“我們很高興能進一步拓展與ARM之間已超過10年的長期合作關系。這項由聯電贊助的發(fā)展計劃，將能夠為客戶在聯電各個先進的工藝技術上提供全方位的ARM物理IP解決方案，也有助于縮短產品在重要市場應用上的上市時間。此外，這項合作進一步凸顯了我們的承諾，將行業(yè)領先的資源，提供給采用聯電最尖端的28納米工藝節(jié)點的客戶。”

聯電的gate-last 28HPM工藝技術，具有卓越的性能、超低漏電的高K金屬柵結構等特點，能夠提供多種器件電壓、記憶單元、低速或超速運行能力，可以幫助片上系統(tǒng)設計師實現高性能和更長的電池續(xù)航能力。聯電的28HPM工藝技術預計于2012年中期投入試產。