德國愛思強股份有限公司今日宣布，其BM 300系統(tǒng)在日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所（AIST）成功投入應(yīng)用。該系統(tǒng)于2011年安裝到AIST研究所設(shè)于筑波市的高級無塵室中，并由愛思強的當?shù)胤?wù)支持團隊進行調(diào)試。AIST研究團隊的負責人佐藤信太郎（Shintaro Sato）博士在2012年4月10日的美國材料協(xié)會春季會議上，公布了實驗生長結(jié)果。

“AIST成功在300mm的晶圓上生長出單分子層石墨烯，對于我們來說是一個重要的里程碑，”愛思強納米技術(shù)設(shè)備總監(jiān)Ken Teo博士表示，“BM 300是技術(shù)最為先進的石墨烯生產(chǎn)平臺，擁有能夠精準地輸送前置物質(zhì)成熟的氣體輸送系統(tǒng)、ARGUS原位晶圓熱分布控制、高度均勻的晶圓加熱器、自動化處理器等。在300mm的晶圓上實現(xiàn)高度可控且可重復的石墨烯沉積，是進行大規(guī)模的晶圓級石墨烯生產(chǎn)的必要步驟，并為新一代的半導體設(shè)施開發(fā)具有獨特性質(zhì)的石墨烯奠定了基礎(chǔ)。”

“AIST成功在300mm的晶圓上生長出單分子層石墨烯，對于我們來說是一個重要的里程碑，”愛思強納米技術(shù)設(shè)備總監(jiān)Ken Teo博士表示，“BM 300是技術(shù)最為先進的石墨烯生產(chǎn)平臺，擁有能夠精準地輸送前置物質(zhì)成熟的氣體輸送系統(tǒng)、ARGUS原位晶圓熱分布控制、高度均勻的晶圓加熱器、自動化處理器等。在300mm的晶圓上實現(xiàn)高度可控且可重復的石墨烯沉積，是進行大規(guī)模的晶圓級石墨烯生產(chǎn)的必要步驟，并為新一代的半導體設(shè)施開發(fā)具有獨特性質(zhì)的石墨烯奠定了基礎(chǔ)。”

佐藤博士帶領(lǐng)AIST的團隊將運用該系統(tǒng)沉積出限定層數(shù)的高質(zhì)量石墨烯。這將是制造低電壓CMOS FET加工技術(shù)的主要步驟，使其能夠在低于0.3伏的電壓下工作。

該項研究由世界領(lǐng)先創(chuàng)新科技研發(fā)資金計劃（Funding Program for World-Leading Innovative R&D on Science and Technology，簡稱FIRST）投資，該計劃旨在鼓勵先進科技研發(fā)，以增強日本的國際競爭力，并通過分享研究成果，為社會和人民的福祉作貢獻。FIRST計劃經(jīng)日本政府內(nèi)閣辦公室的綜合科學技術(shù)會議于2009年批準，由日本政府內(nèi)閣辦公以及日本學術(shù)振興會共同運營。這次晶圓加工研究在AIST研究所合作研究團隊的綠色納米電子中心（Green Nanoelectronics Center）進行，屬于FIRST 計劃的“綠色納米電子核心技術(shù)研發(fā)”項目（核心研究員：橫山直樹（Naoki Yokoyama）博士）的一部分。綠色納米電子中心成立于2010年4月，由來自學術(shù)界以及工業(yè)界的研究員組成。