[導讀]據(jù)物理學家組織網(wǎng)6月15日（北京時間）報道，最近，美國斯坦福和南加州大學工程師開發(fā)出一種設計碳納米管線路的新方法，首次能生產(chǎn)出一種以碳納米管為基礎的全晶片數(shù)字電路，即使在許多納米管發(fā)生扭曲偏向的情況下，整
據(jù)物理學家組織網(wǎng)6月15日（北京時間）報道，最近，美國斯坦福和南加州大學工程師開發(fā)出一種設計碳納米管線路的新方法，首次能生產(chǎn)出一種以碳納米管為基礎的全晶片數(shù)字電路，即使在許多納米管發(fā)生扭曲偏向的情況下，整個線路仍能工作。
碳納米管（CNTs）超越了傳統(tǒng)的硅技術，在能效方面有望比硅基線路提高10倍。第一個初級納米管晶體管誕生于1998年，人們期望這將開啟一個高能效、先進計算設備新時代，但受制于碳納米管本身固有的缺點，這一愿景一直未能實現(xiàn)。
“作為未來的密集型高能效集成電路，碳納米晶體管極具吸引力。然而當人們想把它們用在微電子領域時，卻遭遇到巨大的障礙。最主要的就是它們的位置和電屬性的變化?！盜BM托馬斯·瓦特森研究中心物理科學部主管蘇布拉迪克·高華說。
在碳納米管能變成一種有現(xiàn)實影響力的技術之前，至少還要克服兩大障礙：第一，研究已證明，要造出具有“完美”直線型的納米管是不可能的，而扭曲錯位的納米管會導致線路出錯，以致功能紊亂；第二，迄今還沒有一種技術能生產(chǎn)出完全一致的半導體納米管，如果線路中出現(xiàn)了金屬碳納米管，會導致短路、漏電、脆弱易受干擾。
針對這兩大難題，研究人員設計了一種獨特的“缺陷-免疫”模式，生產(chǎn)出第一個全晶片級的數(shù)字邏輯裝置，能不受碳納米管線向錯誤和位置錯誤的影響。此外，他們還發(fā)明了一種能從線路中清除那些不必要元素的方法，從而解決了金屬碳納米管的問題。他們的設計方法有兩個突出特點，首先是沒有犧牲碳納米管能效，其次還能與現(xiàn)有的制造方法和設施兼容，很容易實現(xiàn)商業(yè)化應用。
他們的研究最近還被作為國際電子設備大會（IEDM）的邀請論文，以及美國電器與電子工程師協(xié)會（IEEE）會報集成線路與系統(tǒng)計算機輔助設計方面的“主題論文”。
下一步，研究人員將嘗試造出數(shù)字集成系統(tǒng)的基本組件：計算線路與序列存儲，以及首個高度一體化的整體三維集成電路。
碳納米管（CNTs）超越了傳統(tǒng)的硅技術，在能效方面有望比硅基線路提高10倍。第一個初級納米管晶體管誕生于1998年，人們期望這將開啟一個高能效、先進計算設備新時代，但受制于碳納米管本身固有的缺點，這一愿景一直未能實現(xiàn)。
“作為未來的密集型高能效集成電路，碳納米晶體管極具吸引力。然而當人們想把它們用在微電子領域時，卻遭遇到巨大的障礙。最主要的就是它們的位置和電屬性的變化?！盜BM托馬斯·瓦特森研究中心物理科學部主管蘇布拉迪克·高華說。
在碳納米管能變成一種有現(xiàn)實影響力的技術之前，至少還要克服兩大障礙：第一，研究已證明，要造出具有“完美”直線型的納米管是不可能的，而扭曲錯位的納米管會導致線路出錯，以致功能紊亂；第二，迄今還沒有一種技術能生產(chǎn)出完全一致的半導體納米管，如果線路中出現(xiàn)了金屬碳納米管，會導致短路、漏電、脆弱易受干擾。
針對這兩大難題，研究人員設計了一種獨特的“缺陷-免疫”模式，生產(chǎn)出第一個全晶片級的數(shù)字邏輯裝置，能不受碳納米管線向錯誤和位置錯誤的影響。此外，他們還發(fā)明了一種能從線路中清除那些不必要元素的方法，從而解決了金屬碳納米管的問題。他們的設計方法有兩個突出特點，首先是沒有犧牲碳納米管能效，其次還能與現(xiàn)有的制造方法和設施兼容，很容易實現(xiàn)商業(yè)化應用。
他們的研究最近還被作為國際電子設備大會（IEDM）的邀請論文，以及美國電器與電子工程師協(xié)會（IEEE）會報集成線路與系統(tǒng)計算機輔助設計方面的“主題論文”。
下一步，研究人員將嘗試造出數(shù)字集成系統(tǒng)的基本組件：計算線路與序列存儲，以及首個高度一體化的整體三維集成電路。
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