摘要：  中國移動日前在其官方網(wǎng)站正式公布了2013年TD-LTE無線主設備的招標公告，此次集采涉及全國31個省市，采購規(guī)模約為20.7萬個基站，共計55萬載扇。與此同時，中移動還啟動了2013年首次TD-LTE 4G終端集采，規(guī)模為20.65萬部。

中國移動日前在其官方網(wǎng)站正式公布了2013年TD-LTE無線主設備的招標公告，此次集采涉及全國31個省市，采購規(guī)模約為20.7萬個基站，共計55萬載扇。與此同時，中移動還啟動了2013年首次TD-LTE 4G終端集采，規(guī)模為20.65萬部。業(yè)界普遍認為，受蜂窩網(wǎng)絡部署的驅動，無線基礎設施將有望在以下幾個方面出現(xiàn)重大變革，包括高集成度、更高的靈活性、更強的可擴展性、更高的性能和更高效率/更低功耗，從而幫助運營商提高網(wǎng)絡容量和覆蓋率、降低運營成本和設備成本所面臨的挑戰(zhàn)。

作為重點關注TD-LTE無線基站第八代LDMOS產(chǎn)品線的擴展產(chǎn)品，恩智浦日前推出了全新Gen8+ LDMOS RF功率晶體管。BLC8G27LS-160AV是即將發(fā)布的第一款Gen8+器件，據(jù)稱也是全球最小最經(jīng)濟的解決方案，用于有源天線戶外基站(2.6 GHz)的15 W和20 W功率放大器。該設備可同時支持多達5個TD-LTE載波，并提供覆蓋全波段(2.5-2.7 GHz)的高效率。

而在恩智浦半導體(NXP)大中華區(qū)無線通訊及射頻業(yè)務總經(jīng)理陳平路看來，隨著LTE技術的不斷演進，未來，滿足寬帶和多種模式兼容，高密度(低CDS)視頻帶寬和更高性能的RF功率器件將成為必須。同時，為進一步降低成本，塑料包裝和高密度、小型封裝RF功率器件產(chǎn)品也會有更多市場需求。

Gen8+產(chǎn)品組合的一項突破性功能是采用了空腔塑料(air cavity plastic， ACP)封裝。相比陶瓷封裝，ACP技術更加經(jīng)濟、靈活，還允許使用改進型無源器件，通過降低功耗并增加增益和效率來提升性能。此外，Gen8+還加入了大量其他封裝選項，包括QFN、OMP和陶瓷封裝。

Gen8+產(chǎn)品組合最初設計用于頻率范圍在2300-2700 MHz之間的基站應用。作為現(xiàn)有恩智浦LDMOS產(chǎn)品系列的擴展，Gen8+增加了各個波段功耗水平的范圍，從5瓦到240瓦不等?！盎揪G色節(jié)能、小型化的需求，轉化到功率放大器上，就是如何實現(xiàn)更高的效率和集成度?！标惼铰氛f。

他同時強調稱，NXP在PA領域的優(yōu)勢首先得益于其第8代LDMOS技術，“新技術可以提高Doherty放大器的功率、效率，降低內(nèi)存占用，獲得更好的預失真性能，甚至可以將Doherty完全集成到單個功率晶體管封裝結構中?！边@意味著，工程師無需再對這類特別復雜電路設計擔心，所有分離器、延遲線路和混合器已經(jīng)包含在設計之中，整個設計過程可以簡化成AB類電路設計。

恩智浦半導體(NXP)全新Gen8+ LDMOS#管BLC8G27LS-160AV

針對目前運營商對于基站快速交付的要求，陳平路稱NXP已經(jīng)在三方面做好了應對的準備。首先，推出集成Doherty和多種Doherty參考電路，類似交鑰匙工程，減小設計的復雜程度，令客戶加快產(chǎn)品上市的時間;其次，倡導“隨時更替(Drop in Replacement)”的設計概念，即未來LDMOS能夠沿用目前客戶的電路和結構設計，同時帶來性能方面的提高，令客戶的設計周期將大大縮短;最后，由于RF功率器件的重要性和生產(chǎn)的復雜性，供貨量有限是國內(nèi)外市場，尤其是多種3G/4G制式快速建網(wǎng)的一個瓶頸，因此必須迅速擴大LDMOS的產(chǎn)能，以滿足市場需求。

ABI提供的數(shù)據(jù)顯示，2012年恩智浦在RF 功率晶體管器件市場排名第二，市場份額約為22%。陳平路表示，公司將繼續(xù)優(yōu)化現(xiàn)有LDMOS的工作帶寬設計，并開發(fā)新的半導體技術比如GaN，這對于多制式無線接入、軟件定義無線電和等效的網(wǎng)絡平滑演進尤為重要。同時，不斷提高LDMOS的功率容量和視頻帶寬等指標，這對于支持以HSPA/LTE為代表的多載波以及對應的數(shù)據(jù)流更為關鍵。