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[導讀]【導讀】在2013年第25屆功率半導體器件和集成電路國際學術研討會(International Symposium on Power Semiconductor Devices and Integrated Circuits, ISPSD)上,飛兆半導體的首席技術長Dan Kinzer被授予“ISPSD貢獻

【導讀】在2013年第25屆功率半導體器件和集成電路國際學術研討會(International Symposium on Power Semiconductor Devices and Integrated Circuits, ISPSD)上,飛兆半導體的首席技術長Dan Kinzer被授予“ISPSD貢獻獎”。

摘要:  在2013年第25屆功率半導體器件和集成電路國際學術研討會(International Symposium on Power Semiconductor Devices and Integrated Circuits, ISPSD)上,飛兆半導體的首席技術長Dan Kinzer被授予“ISPSD貢獻獎”。

該獎表彰在擴大技術領域的杰出貢獻

ISPSD貢獻獎于2001年在ISPSD大會上設立,頒發(fā)給對擴大技術領域做出杰出貢獻的成員。在慶祝ISPSD 25周年之際,Dan Kinzer成為獲此殊榮的八位入選者之一,以獎勵他20多年來對ISPSD建立并發(fā)展為功率半導體器件領域世界領先國際學術研討會做出的努力和貢獻。

Dan Kinzer于2007年加盟飛兆半導體,擔任產品和技術開發(fā)部的高級副總裁,并于2010年12月被任命為首席技術長兼技術高級副總裁。他的職責包括領導半導體器件、工藝和包裝技術開發(fā)。此外,他還負責技術戰(zhàn)略、技術人員招聘和發(fā)展以及與技術相關的業(yè)務和制造戰(zhàn)略。他還領導碳化硅技術開發(fā)。

Kinzer先生是100多個美國專利和多個國際專利的發(fā)明者、數篇科學和貿易文章的作者、ISPSD的大會主席以及IEEE和EDS的成員。他于1978年在普林斯敦大學航空航天和機械系獲得BSE學位,主修工程物理學。

ISPSD是電源設備各研究和開發(fā)領域的研究人員、工程師、科學家和專家的國際會場,電源設備和功率IC領域專家匯聚一堂,以增強并推動功率電子及其應用的研究和開發(fā)。ISPSD展示豐富的技術成果,已成為電源設備和功率IC領域的世界領先大會,我們期待今年大會同樣大獲成功。

查看產品和公司信息視頻,聽取產品信息網上音頻,以及閱讀飛兆半導體博客(英文版),請訪問網頁:http://www.fairchildsemi.com/engineeringconnections

 

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