中國大陸TD-LTE手機市場戰(zhàn)火快速延燒。中國大陸政府即將對三大電信商釋出TD-LTE牌照，激勵品牌廠加碼投入TD-LTE手機研發(fā)，因此基頻晶片商及功率放大器等業(yè)者，皆已展開供應鏈搶單大戰(zhàn)，卡位TD-LTE市場商機。

TD-LTE時代來臨將開啟半導體廠商間較勁的新戰(zhàn)場。中國大陸工信部即將發(fā)放中國大陸三大電信商--中國移動、中國電信、中國聯通TD-LTE牌照，目前已可見三大電信商無不卯足全力采購設備，其中，以中國移動的動作最為積極。

基頻晶片商助陣 中移動TD-LTE攻勢猛

為避免重蹈3G時代因TD-SCDMA晶片方案不足而導致發(fā)展受阻，中國移動已積極拉攏手機基頻晶片商加入TD-LTE陣營。目前包括高通(Qualcomm)、邁威爾(Marvell)、聯發(fā)科、展訊及聯芯等業(yè)者，皆已發(fā)布相關解決方案并陸續(xù)導入量產，成為中國移動沖刺4G市場的有力后盾。

圖1 拓墣產業(yè)研究所上海子公司研究員徐奕斐表示，為避免陷入3G時代晶片供應不穩(wěn)窘境，中國移動正卯足全力部署TD-LTE晶片市場。

拓墣產業(yè)研究所上海子公司研究員徐奕斐(圖1)表示，在3G時代，由于國際IC設計大廠一開始并不重視TD-SCDMA晶片研發(fā)，導致中國移動3G晶片供應來源有限，使得手機種類不夠豐富而流失客戶。中國移動為避免在TD-LTE時代重蹈覆轍，遂拉攏高通、聯發(fā)科、Marvell、中興、聯芯、展訊等晶片大廠，以確保TD-LTE晶片供貨無虞，有望于TD-LTE市場重現2G時代威風。

值得一提的是，上述與中國移動合作的廠商中，除高通與聯發(fā)科已采用28奈米制程節(jié)點量產多頻多模LTE晶片，展訊、Marvell、聯芯等多家廠商也將跟進，欲以高介電質金屬閘極(HKMG)制程降低晶片功耗，其中，展迅及Marvell預計量產時間為今年第四季，而聯芯則預定于明年第一季追上進度。

除積極與晶片大廠建立TD-LTE晶片供應關系外，中國移動亦已針對終端產品進行大規(guī)模集中采購，而首兩次的集采招標已于去年11月及今年7月落幕，集中于MiFi、客戶端/用戶端設備(Customer Premise Equipment, CPE)等網通產品。業(yè)界預估在中國政府發(fā)照前，該公司將再啟動一波終端集采，而2014年開始，中國移動集采重點將由網通設備轉向手機。

根據TD產業(yè)聯盟研究報告指出，2013年商用TD-LTE智慧型手機數量將大幅度增加，截至今年6月，全球共十五家廠商發(fā)表二十九款TD-LTE智慧型手機。預計今年第三季將再有十一款TD-LTE手機在中國大陸上市，另外六款在日本上市。除智慧型手機外，其他包括數據卡、CPE、MiFi、平板電腦等TD-LTE終端產品，累計出貨量也已超過四百萬臺，整體TD-LTE市場產值正急遽攀升。

據了解，中國大陸政府已明確訂出2015年全中國大陸3G/LTE用戶達四億五千萬戶，并于2020年增至十二億戶的目標，因此極有可能于今年10月同時發(fā)放三張TD-LTE牌照給中國移動、中國電信、中國聯通。

看好TD-LTE釋照后帶來的龐大商機，中國移動已全力啟動策略布局，大規(guī)模展開電信設備招標，計劃于2013年達成第一階段二十多萬座基地臺、覆蓋全國一百個城市的布建目標，投資金額規(guī)模超過人民幣200億元，預計2014年將再蓋二十萬座基地臺，并明確提出TD-LTE網路大規(guī)模商用化時間為2015年。

隨著電信商大規(guī)模采購TD-LTE設備，中低價智慧型需求亦迅速攀升，并帶動手機關鍵元件出貨量同步走揚，其中，互補式金屬氧化物半導體功率放大器(CMOS PA)更是此波商機的最大受惠者。

中低價手機風潮來襲 CMOS PA露鋒芒

CMOS PA正挾尺寸及成本優(yōu)勢于中低價手機市場攻城掠地，市占可望提升至15%?20%，而砷化鎵(GaAs)PA廠商為進一步防堵對手攻勢，將全面啟動輕晶圓廠(Fab-lite)策略，以同時鞏固高階手機及中低價手機市占。

拓墣產業(yè)研究所半導體研究中心研究員許漢州表示，智慧型手機取代功能型手機的商機即將在新興市場爆發(fā)，并成為未來全球智慧型手機出貨成長動力，可想而知，零組件廠商若要搶先卡位該市場，元件價格將是決定性關鍵因素。在元件低價化風潮下，CMOS PA廠商可望挾價格及尺寸雙重優(yōu)勢于中低價手機市場大發(fā)利市，預估2016年CMOS PA市占可望提升至15%?20%。

許漢州進一步以高通(Qualcomm )支援長程演進計劃(LTE)的RF 360解決方案(圖2)為例，其運用封包功率追蹤(Envelope Power Tracking)技術提升CMOS PA效率，以及0.18微米(μm)CMOS絕緣層覆矽(SOI)制程優(yōu)化附加功率效率(PAE)，不僅較傳統(tǒng)PA減少一半以上的占位面積，更可降低射頻(RF)耗電量高達30%的比例。

圖2 高通RF 360解決方案

不過，CMOS PA雖具有尺寸及價格優(yōu)勢，但其效率仍較GaAs PA低，因此，講求高待機時間的高階智慧型手機仍將主要采用GaAs方案，并且GaAs PA廠商也將在GaAs PA設計中加入封包功率追蹤技術，以彰顯與CMOS PA間的元件特性差異。據了解，三星(Samsung)Galaxy Note 3即采用具備封包功率追蹤器的GaAs PA方案。

許漢州認為，GaAs PA業(yè)者除以封包功率追蹤技術加強產品于高階手機市場滲透率外，亦將加速研發(fā)多頻多模功率放大器(MMPA)。至于中低價手機市場，GaAs PA廠商則可能同步發(fā)展CMOS PA技術，并走向輕晶圓代工模式，拉近與CMOS PA價格差距。

許漢州指出，GaAs PA廠商運用垂直分工模式，將量大且低價的市場交由專業(yè)GaAs晶圓代工廠制造，將可避免耗費過多資本支出于晶圓廠產能的建置，該模式將是多數GaAs PA廠商的主要策略。臺灣GaAs晶圓代工廠商只要緊跟制程研發(fā)腳步并謹慎擴產，將在此趨勢下搶占重要的產業(yè)位置。

根據拓墣產業(yè)研究所最新研究報告指出，2012年450美元以上智慧型手機占總出貨量達55%，但隨著新興市場帶動中低價手機出貨量快速成長，2013年其占比將僅剩47%，至2014年則僅剩四成，而300美元以下方案出貨比占則大幅成長至32%，而手機價格上的變化將帶給中國大陸本土零組件廠商機不可失的發(fā)展契機，一股國際半導體廠商不容忽視的新勢力正快速崛起。 [!--empirenews.page--]

中國晶片商勢力抬頭

中國大陸本土零組件廠商由于市場起步較晚，多半以低價策略搶先卡位中低價手機商機，不過與此同時，海思、銳迪科、云英谷等中國大陸本土晶片業(yè)者已分別于基頻晶片、處理器、顯示器等領域突破技術桎梏，并向國際晶片商投下戰(zhàn)帖，欲加速蠶食中國大陸中低價手機市場大餅。

徐奕斐表示，中國大陸中低價手機市場對成本十分敏感，因而吸引以成本控管能力見長的本土IC設計商大舉投入該市場，該類廠商多半先以低價策略開疆辟土，擁有一定市占后，再以新一代的技術拓展高性價比的智慧型手機市場。

徐奕斐舉例，2013年底中國大陸政府工信部即將發(fā)放TD-LTE牌照，雖然目前高通仍以應用處理器(AP)與基頻晶片的整合方案一家獨大，但若觀察中國移動的招標結果，則發(fā)現海思產品獲得采購的比重亦逐漸攀升。據了解，目前海思最新技術已可做出五模十頻方案，未來將有可能逐漸由中低價手機市場進逼高通市占。 不僅海思，銳迪科也正快速崛起。銳迪科善于硬體設計與整合技術，一直以來系市場砍價高手，今年下半年銳迪科已正式跨足智慧型手機處理器市場，最新產品業(yè)已上市，業(yè)界預期銳迪科的超低價處理器方案將讓智慧型手機售價推向新低點。

事實上，中國大陸中低價手機品牌小米、紐曼、卓普、TCL等除搶搭多核心處理器外，亦開始利用五百萬畫素(Pixel)前鏡頭、一千三百萬畫素后鏡頭及全高畫質(FHD)螢幕凸顯產品高性價比特色。有鑒于此，中國大陸深圳廠商云英谷今年下半年已量產一批顯示器，利用演算法提升面板亮度并去除冗余色彩，讓非晶矽(a-Si)面板可直接由WVGA解析度升級至HD或FHD顯示效果，同時保持彩色畫面色彩飽和度。

至于智慧型手機鏡頭市場，則由格科微及思比科兩家廠商各擅勝場，前者采用背照式(BSI)技術、后者則采用前照式(FSI)技術，先后于今年推出用于低價智慧型手機的五百萬畫素互補式金屬氧化物半導體(CMOS)影像感測器，以COB(Chip On Board)方式封裝，單價約1.4?1.6美元，預計于2014年大舉搶攻超低價智慧型手機市場。

顯而易見，中國大陸半導體市場在IC設計業(yè)者與代工廠齊力合作下，產值將明顯躍升，成為一股國際晶片商無法忽視的龐大新勢力，而國際半導體廠商將如何針對TD-LTE時代中的中低價手機商機改變營運策略，將成為公司獲利的重要關鍵。