東芝(Toshiba)集團前資深執(zhí)行副總裁暨現(xiàn)任常任顧問齊藤升三(Shozo Saito)表示，企業(yè)界近年來開始仰賴巨量類比資料(Big Analog Data)運算及分析，以提供客戶差異化的服務(wù)價值，而在分析巨量資料的過程中還會再衍伸、創(chuàng)造出新的資料，如此龐大的資料流量將使企業(yè)界面臨資訊爆炸(Info-plosion)的處境。

齊藤進一步引述國際數(shù)據(jù)資訊(IDC)的資料表示，2010年人類創(chuàng)造的資料量為1.8ZB(Zettabyte)，預(yù)估至2020年將勁揚至35ZB，如此龐大的資料量固然為資料中心的運算及運作帶來巨大的負擔(dān)與挑戰(zhàn)，但同時也為儲存技術(shù)與裝置帶來了無限商機。

Rambus執(zhí)行長Ronalad Black也認為，記憶體產(chǎn)業(yè)與云端產(chǎn)業(yè)的發(fā)展將相輔相成。因應(yīng)這波龐大的商機，無論是針對高效能運算系統(tǒng)(High Performance Computing, HPC)、一般云端運算等，相關(guān)供應(yīng)鏈廠商無不對資料中心悉心布局各種儲存解決方案，包括快閃記憶體(Flash Memory)、固態(tài)硬碟(Solid State Drive, SSD)、傳統(tǒng)硬碟(Hard Disk Drive, HDD)等。

齊藤指出，在眾多儲存解決方案中，NAND快閃記憶體將受惠最多。事實上，層出不窮的新應(yīng)用將不斷為NAND快閃記憶體帶來新的S曲線(S-curve)生命周期，如數(shù)位相機等電子產(chǎn)品，以及智慧型手機和平板電腦即分別掀起兩次NAND快閃記憶體的需求浪潮。他預(yù)估，在2015年之后將出現(xiàn)另一波大規(guī)模的資訊爆炸，勢必將為NAND快閃記憶體帶來第三波成長高峰。

因應(yīng)資料中心龐大的儲存需求，業(yè)界亦戮力開發(fā)NAND快閃記憶體的新技術(shù)及新制程。齊藤表示，三維(3D)NAND快閃記憶體具備高密度儲存容量的優(yōu)勢，已成產(chǎn)業(yè)界新焦點；如東芝以BiCS(Bit-cost Scalable)結(jié)構(gòu)研發(fā)的次世代3D NAND快閃記憶體及3D可變電阻式記憶體(ReRAM)即已于2013年完成送樣，并預(yù)計在2015年正式量產(chǎn)。