蘇松濤/報導

恩智浦半導體(NXP Semiconductors N.V.；NASDAQ：NXPI)近日推出首款采用1.1-mm x 1-mm x 0.37-mm超薄DFN（分立式扁平無引腳）封裝的電晶體。全新產品組合由25種元件組成，其中包括低RDson MOSFET以及可將電流能力最高提升至3.2 A的低飽和通用電晶體。此全新產品系列憑藉其超小尺寸和高性能，相當適用于可攜式、空間受限應用的電源管理和負載開關，特別因外形大小、功率密度和效率皆為關鍵因素。

恩智浦半導體電晶體產品經理Joachim Stange表示：「在微小的塑膠封裝內達到如此高的汲極和集極電流值是前所未有的。憑藉這一突破性的里程碑，恩智浦將繼續(xù)挑戰(zhàn)MOSFET和雙極性電晶體在超緊致封裝和性能方面的極限?！?/p>

全新產品系列采用兩種封裝：單晶DFN1010D-3 (SOT1215)封裝，功耗最高達到1 W，具備鍍錫與可焊式側焊墊的特性。這些側焊墊提供光學焊接檢測的優(yōu)勢，與傳統(tǒng)無鉛封裝相比，焊接連接品質更好，能滿足嚴格的汽車應用要求。雙晶封裝DFN1010B-6 (SOT1216)，占用空間僅為1.1-mm²，是雙電晶體可采用的最小封裝。

采用DFN1010封裝的產品可替代許多WL-CSP裝置。另外，該封裝也可以取代體積更大的DFN封裝和標準含鉛SMD封裝（例如達其體積八倍的SOT23），同時提供同等甚至更為出色的性能。

全新產品組合主要特點：

• 1.1 x 1 x 0.37 mm超小扁平封裝

• 功率消耗(Ptot) 最高達到1 W

• 采用鍍錫與可焊式側焊墊，貼裝性能更好，符合汽車應用要求

• 單通道和雙通道MOSFET（N-ch/P-ch）

• RDSon值低至34mOhm

• ID最高達到3.2 A

• 電壓范圍為12 V至80 V

• 1 kV ESD保護

• 低VCEsat (BISS)單晶體管

• VCEsat 值低至70 mV

• 集極電流(IC)最高達到2 A，峰值集極電流(ICM)最高達到3 A

• VCEO范圍為30 V至60 V

• 符合AEC-q101標準

• 雙通道NPN/PNP配電阻（數位）電晶體（100 mA，R1=R2=47 kOhm /符合AEC-Q101標準）

• 通用單晶體和雙電晶體

上市時間

采用DFN1010封裝的全新電晶體現(xiàn)已量產，即將上市。