根據(jù)日本“日經(jīng)新聞”(Nikkei)報(bào)導(dǎo)，東芝(Toshiba)與韓國(guó)SK海力士(SK Hynix Inc.)最快將于2016年年度攜手量產(chǎn)下一代存儲(chǔ)器芯片MRAM(磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器)，量產(chǎn)時(shí)間比美國(guó)半導(dǎo)體大廠美光科技(Micron Technology US-MU)計(jì)劃的2018年提前約2年時(shí)間。

東芝與SK海力士正在研發(fā)的MRAM，其特征是即使關(guān)掉電源，數(shù)據(jù)也不會(huì)消失。與目前廣泛使用于個(gè)人電腦、智能手機(jī)與其他裝置的DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)相比，MRAM資料貯存量是DRAM的10倍，但耗電量卻僅有2/3。

改用MRAM可延長(zhǎng)裝置的電池壽命，加快大量數(shù)據(jù)傳輸速度，例如影音檔案等，并可讓電池與其他零組件實(shí)現(xiàn)小型化，將促進(jìn)穿載式裝置，例如眼鏡型與手表型電腦的開(kāi)發(fā)。

報(bào)導(dǎo)指出，東芝與SK海力士于2011年開(kāi)始攜手開(kāi)發(fā)MRAM，并計(jì)劃于2014年會(huì)計(jì)年度開(kāi)始提供樣品。樣品將由位于首爾郊外的SK海力士工廠生產(chǎn)。

如果需求可期，2016會(huì)計(jì)年度將會(huì)在韓國(guó)啟動(dòng)量產(chǎn)，東芝與SK海力士還將討論籌組合資公司，打算投入1000億日元(9.4億美元)資金，在日本或南韓開(kāi)辟專(zhuān)門(mén)生產(chǎn)線。

目前競(jìng)逐MRAM研發(fā)的可分為三大陣營(yíng)，除東芝與SK海力士的日韓聯(lián)軍外，美光現(xiàn)正與東京威力科創(chuàng)(Tokyo Electron)等20家左右的美、日半導(dǎo)體業(yè)者展開(kāi)合作，力爭(zhēng)在2018年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

存儲(chǔ)器龍頭三星電子公司(Samsung Electronics Co.)仍維持自主研發(fā)路線，但將積極加強(qiáng)產(chǎn)學(xué)合作。

本文由收集整理