訊：全球半導(dǎo)體大廠臺(tái)積電、英特爾(Intel)及三星電子(Samsung Electronics)在10納米級(jí)多重閘極3D架構(gòu)的鰭式場(chǎng)效電晶體(FinFET)技術(shù)展開(kāi)激烈競(jìng)爭(zhēng)，三星和英特爾為確保14納米FinFET技術(shù)領(lǐng)先，紛準(zhǔn)備投入量產(chǎn)，臺(tái)積電則致力于16納米FinFET技術(shù)發(fā)展。半導(dǎo)體業(yè)者透露，面對(duì)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手14納米進(jìn)逼，臺(tái)積電亦布下天羅地網(wǎng)迎戰(zhàn)，傳出內(nèi)部針對(duì)16納米制程規(guī)劃3個(gè)版本，且第二版本可能直接在2014年底進(jìn)行試產(chǎn)，近期已開(kāi)始說(shuō)服客戶導(dǎo)入。

三星系統(tǒng)LSI事業(yè)部已完成14納米FinFET設(shè)計(jì)、制程技術(shù)研發(fā)，正與應(yīng)用處理器(AP)業(yè)者進(jìn)行測(cè)試，三星14納米制程除量產(chǎn)自主研發(fā)的行動(dòng)應(yīng)用處理器Exynos，亦將強(qiáng)化與高通(Qualcomm)、蘋(píng)果(Apple)等業(yè)者合作，三星計(jì)劃藉由14納米FinFET制程世代，大舉重振系統(tǒng)芯片事業(yè)，未來(lái)三星在代工事業(yè)發(fā)展上，14納米FinFET制程將是相當(dāng)重要的一步。

英特爾方面，14納米FinFET制程已達(dá)到可生產(chǎn)芯片水準(zhǔn)，目前生產(chǎn)線亦已完成穩(wěn)定性驗(yàn)證，正在進(jìn)行后段制程的封裝測(cè)試。英特爾2012年在大陸成都工廠首度架構(gòu)14納米FinFET后段制程實(shí)驗(yàn)產(chǎn)線，計(jì)劃2014年上半在哥斯大黎加工廠亦架設(shè)14納米制程產(chǎn)線，至于英特爾行動(dòng)應(yīng)用處理器14納米FinFET制程研發(fā)，則將在美國(guó)總公司內(nèi)進(jìn)行。

由于英特爾曾在22納米制程引進(jìn)FinFET技術(shù)，因此在14納米FinFET制程可望領(lǐng)先群雄，惟14納米FinFET制程用在行動(dòng)應(yīng)用處理器時(shí)能發(fā)揮多大性能，仍是未知數(shù)。三星在FinFET制程技術(shù)亦不遑多讓?zhuān)享n業(yè)者表示，三星14納米FinFET制程在應(yīng)用處理器和SRAM等記憶體測(cè)試時(shí)，都獲得不錯(cuò)成果，未來(lái)半導(dǎo)體三強(qiáng)在應(yīng)用處理器和代工市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)將越演越烈。